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2024年12月20日，这一次我们几个走的路线，北门进→坐1号索道→抱龙山观景台→鸟道→凉山亭→天梯峡栈道→雷鸣桥→关楼→南门。
《我被恋爱游戏玩坏了摆快穿闭》【原创小说触纯爱小说...
胖胖的现烤面包、热情的摊主大叔……哥本哈根菜场拥有热热闹闹的踏实感
“钗弹鬓松，衫垂带褪，有春睡捧心之遗风……”醉氧中的原生态！国庆节去安徽芜湖一个让你养心发呆的好地方2021-10-03 11:48·轻松视角醉氧中的原生态！国庆节去安徽芜湖一个让你养心发呆的好地方，这个好去处，你听说过吗？2021年10月2日，国庆节假期的第二天，和几位朋友相邀一同从芜湖市区出发，驱车不到2个小时，来到了位于南陵县烟墩镇的霭里景区，这里号称是“芜湖的南大门”。霭里景区为泾县、青阳、南陵三县交界，由霭里美丽乡村、小格里原始森林公园组成。霭里原来叫格里，后由格里和格外两村合并为霭里村，其人文、自然景观悠久丰富，除了拥有原始的自然风光、特色的乡村民俗之外，还有丰富的历史人文！相传唐开元二十四年至天宝元年(即公元737-742)，诗人李白带着女儿平阳、儿子伯禽泪别东鲁，沿着古运河来到南陵，寓居在南陵的寨山脚下。他第一次是由泾县桃花潭途径小格里时正值桃花盛开之季节，他被这里犹如世外桃源般的仙境陶醉，桃花潭米酒助兴，呤诵道:“问余何意栖碧山，笑而不答心自闲，桃花流水官然去，别有天地非人间”。翌年寒冬，李白再次来到小格里，特地探访与他同乡四川峨眉下来的一位高僧，这位高僧法号“舜”能弹一手好琴，就修行在海拨400米高的盐石山寺庙里，蜀僧对同时身在异乡为异客的老乡李白的到来自然欣喜万分，便登上巨大的油盐石上为李白抚琴，不知不觉天色已暮，那如诉如泣的弦音和缭绕山峦的钟声，枯草在凄凉的北风中摇曳，李白一丝遗绻的思乡之情油然而生，纵酒放呤: “蜀僧抱绿绮，西下峨眉峰，为我一挥手如听万整松，客心洗流水，余音入霜钟，不觉碧山暮，秋云暗几重。”可见诗人李白《山中问答》，《听蜀僧舜弹琴》两诗中所指的碧山就是现在的小格里。置身这里最原生态的山林中，瞬间就感觉到神清气爽，据介绍，有“安徽香格里拉”之称的小格里，日常负氧离子含量每立方厘米高达26000个，有“天然氧吧”之称，是中国华东地区不可多得的原生态景区和养生福地。景区多年一直保持着原始、天然、生态的环境风貌，的确是一个让你养心发呆的度假休闲好地方，一家人吃完这里的农家菜后，走进这里漫步健身，呼吸呼吸清新的空气，或临溪垂钓，好不惬意！山路上偶遇一位当地老农护林员，老人家微笑地介绍自己已经78岁，看上去身体依然那么健硕，与这里的自然环境好当然不无关系！小格里，多年来一直保持着最原始、天然、生态的风貌，没有被过度商业化，景区是纯免费进入的，只看几位当地的农民在这里售卖自己做的小木凳等手工品和种的蔬菜土货，价格也十分亲民。天气晴朗时，这里山水相映，碧绿如海；烟雨朦胧时，群峰云遮雾漫，整个山村被笼罩在云雾之中，如诗如画，据说，这也是“霭里”的由来！由于当地方言口音的原因，乍一听，会把霭里听成“爱你”了。于是乎，“霭里——一个爱你的地方”，在众多游客间迅速传播！虽然景区自然环境原生态，但可供游客居住的旅店民宿设施都很齐全，朋友们下榻的这一家香格里民宿里的环境就十分一流，国庆节假期里，来“霭里”小格里，这个最原生态的景区里发发呆吸吸氧，享受放松休闲好时光，还能品尝到当地特有的农家美食，真的奥利给！（李青松 文/图）
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对于台积电2nm，我们来谈谈2022-07-31 11:46·半导体行业观察来源：内容来自ctimes，谢谢。在十年之前，谈2纳米（nm）制程芯片的量产，那简直就像天方夜谭，几乎是难以想像的生产技术。但如今，台积电已经正式宣布了量产时程，这个原本市场以为不可能的芯片制程技术，将会在2025年正式量产。而台积2nm技术的宣布有什么重要性？它又会带出哪些半导体制造技术的风向球？本文就从技术演进，以及竞争与成本的角度来切入分析。FinFET微缩之路划上休止符台积电的2nm技术的宣布，单就技术上来说，就是正式宣告「鳍式场效晶体管（FinFET）」的微缩之路的终结。这个堪称是近十年以来，台积电最具竞争力的芯片制程技术，最终都须止步于3nm。毫无疑问，FinFET是个好东西，它除了让摩尔定律得以延续外，同时也让晶圆制造厂可以持续提升芯片的效能并缩小体积。它最大的特色就是采用了立体式的结构，改善了MOSFET的电路控制性能，并减少漏电流的发生，另一方面也缩短了晶体管的闸长。图一: 台积在2013年11月宣布成功试产FinFET，采用16nm生产制程。(source:TSMC)台积是在2013年11月宣布成功试产FinFET，而当时所采用的生产制程是16nm；英特尔则是更早于台积，是在2011年就已经推出了商业化的22纳米FinFET制程技术。至于三星，则是在14nm制程才采用了FinFET架构，不过当时他们是处于追赶的位置，还因此跳过了20nm制程，直接进攻一个全新世代的技术，并且取得了相当的成果，可以说是一次成功的策略。但走到现在，也就是4nm和3nm这个关口，FinFET的微缩之路终究来到了尽头。由于单片的鳍式晶体管结构在这个制程之下，其电子控制的效能会大幅度的衰减，变得十分不稳定，因此难以作为先进运算的核心技术，自然也无法延续摩尔定律对性能提升的要求，于是采用新架构的呼声就不断在产业界与学研界里响起。虽然FinFET制程到了5nm以下就变成了一个关卡，但台积依然透过他们强大的芯片制造能力，硬是让FinFET走到了3nm。而三星则是选择在此节点转向次世代制程。这除了显示台积超越业界的制造能力外，更凸显了台积对于获利与成本控制的高度重视。三星抢推GAAFET制程企图弯道超车洞悉到FinFET的极限之后，晶圆制造业者们当然就开始着手进行相关的研究布局，以因应未来的先进制程服务之争。但说白了，现在市场上也就只剩下三星和台积两家公司有能力进行实际的量产，所以目前若要寻求3nm以下的芯片制造服务，就是一个非T及S的局。谁先端出，谁就赢了，至少表面上是这样子。也由于现在这两强之争的局面，让落后的三星不得不采行较为激烈的「弯道超车」策略，企图在3nm这个制程世代上，就开始导入新的晶体管架构技术，并期望借此追上，甚至是超越台积电。而三星他们选择的制程称为GAAFET「Gate-All-around Field-Effect Transistor」。依据三星的说明，它们的GAAFET是一种采用自行研发通道较宽的纳米片结构，也就是自有的「MBCFET（Multi-Bridge Channel FET）」技术。相较于较窄的纳米线GAA技术架构，这种宽型的结构可以带来更高的效能与更佳的能源效率。图二: 三星GAAFET制程技术的示意图。（source:三星）此外，三星也指出，相较于5nm制程，他们第一代3nm制程能降低45%功耗、提升23%效能、缩减16%面积；第二代3nm制程则可降低50%功耗、提升30%效能，并缩减35%面积，可全面优化芯片PPA指标。但三星这个技术的宣布，最重要的还是宣传的目的，因为三星所有的盘算就是要抢先台积之前，让市场知道，他们的GAAFET已经开始正式量产，而且是全球第一家的3nm芯片制造商。不过其实是不是3nm并不这么重要，最值得关心的，是三星开始导入了新的晶体管制程技术。但到目前为止，他们良率与客户都属于未知的状态，成本与获利更是仍待观察。台积以王者之姿稳稳跨进纳米片世代尽管三星没有特别强调，但我们从其所提供技术示意图来看，就可以得知他们的GAAFET技术就是一种纳米片（Nanosheet）架构，而这跟台积所发表的N2技术，其实都是属于同一种技术类型。换句话说，未来市场上2nm以下的制程芯片，都会是使用纳米片架构的晶体管。相较于三星采用大动作追击的策略，台积对于导入纳米片架构制程就显得保守且小心，或者说是一种不疾不徐的态度。我们回顾台积选择进入FinFET制程的时间点来看，就可以端倪出这家公司的决策文化。一来，他们已是市场的领先者，稳健拓展业务远比大胆推进技术更为重要；再者，台积一向看重生产良率和高获利率，不稳定、不够成熟的制程，他们定不敢，也不会贸然进行量产。就因为这立场与策略的差异，因此台积选择进入纳米片架构的时间点，也就晚了三星一个世代。而这个一世代的差异，除了让台积在3nm制程上有更好的成本优势外，也为他们的2nm制程取得了更多的研发和试产的时间。依据台积自己公布的资料，相对于N3，新一代的N2技术在相同功耗下，速度提升了10～15%；在相同速度下，则功耗降低25～30%。而在应用领域方面，N2将会推出针对行动运算的基本版本，另也会推出高效能版本和小芯片整合的解决方案，预计在2025年开始量产。不过这里就有一点性能上的差异，因为三星的3nm GAAFET是对比5nm FineFET，而台积N2则是对比N3，所以单就各自帐面上的性能提升来看，纳米片架构的的确确是能够突破FinFET的极限。若是比较双方的数据差异，则台积拥有微缩制程上优势，其2nm具有较好的功耗表现。不过三星的2nm制程也预计在2025量产，目前其实际的效能数据则仍未公布。图三: 台积与三星的纳米片结构制程比较。纳米片成为产业共识但谁会需要2nm技术?对于台积与三星皆选择了纳米片架构作为下一代的制程技术，其实一点都不令人意外，甚至可以说是一种必然的结果。比利时微电子研究中心（imec）就曾在一篇技术文章中指出(注1)，纳米片可以视为FinFET的自然演变，它能让许多针对FinFET制程应化的模组，都能沿用至纳米片制程。也促使业界更容易接受这套新架构。不过，FinFET与纳米片毕竟不相同，在制程上仍有不小的差异。Imec也指出了它们的四大关键差异，且需要特别研发创新技术。首先，纳米片会利用矽（Si）与矽锗（SiGe）进行多层的磊晶成长，致使传统的CMOS制程不再适用。而且整个堆叠会进行图形化，制成高深宽比的鳍片，因此确保纳米片的型态是个挑战。第二个差异，是需要导入一层内衬层，也就是增加一层介电层来隔离闸极与源／汲极，进而降低电容。第三个差异是纳米片制程多了一个释出通道的步骤，而此过程需要高度选择性，才能把少量的锗留在纳米片之间，并降低矽材的表面粗糙度。第四个差异是替代金属闸极的整合，包含在纳米片周围与彼此间的间隙内沉积金属，并进行图形化。而从imec所指出的制程挑战可以看出，进入纳米片结构制程的困难其实不小，直接造成的就是制造成本将大增，同时短时间内的良率应该不会太高，真要下单投入生产，所要承担的商业风险其实不小。尤其是目前3nm制程的生产成本已经将近6亿美元，若再往下走到纳米片的2nm，则金额实在难以想像。所以综合来看，届时能有足够资本实力可以下单2nm制程芯片的业者，其实已经屈指可数。目前看来如果不是苹果（Apple），就是全力追求高性能与低高耗的绘图与处理器业者，例如NVIDIA和AMD，其他的行动运算平台业者如高通或联发科等，现在都还难以推估他们届时是否具备足够的商业能力来投单。当然，Google和Amazon，或者特斯拉，也有可能投单2nm芯片，因为他们的资本更加庞大，同时所需要的效能表现又更加刁钻。至于中国的业者也不应该被排除在外，毕竟2025年还有一段时日，美中的冲突也存在解除的可能性。结语整体来说，半导体微缩制程再往下走到2nm已是即将发生的事实，而摩尔定律也还能再继续维持下去，人们也将继续感受到电子装置与科技应用不断创新的便利性，尤其是在运算与AI处理的体验上。唯一的问题，就是这超级庞大的制造成本究竟有多少人可以负担。所以可以想见的是，再往下探的微缩制程可能不再具备多少意义，先进的半导体整合与异质设计，可能才是日后芯片开发者需要关注的所在。*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。今天是《半导体行业观察》为您分享的第3117内容，欢迎关注。晶圆｜集成电路｜设备｜汽车芯片｜存储｜台积电｜AI｜封装2024-07-02 17:39·文化艺术报《我被恋爱游戏玩坏了摆快穿闭》【原创小说触纯爱小说...
警方赶到现场时黑衣男子已经不见踪影
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