这幅叁维立体画是最美的，动物与人合为一体，形成一幅美轮美奂的图画！你看出来了吗？
2024年12月09日，公开资料显示，截至2023年1月2日，上海全市社区卫生服务机构新增吸氧位1711个、输液位2562个、发热诊间238间、病床665张、心电监护仪243台。同时，阿兹夫定等抗病毒药物、指氧仪、氧气罐等物资优先向社区倾斜配备，社区新冠救治与防重症能力得到持续提升。
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受价格战拖累
智己L6配备了“灵蜥数字底盘”，通过全车三轴六自由度整车运动的协同管理，理论上新车在操控方面有了进一步提升，尤其是在狭窄道路和停车库中。新车标配的四轮转向系统，侧方停车所需车位长度减少 11%，最小转弯半径仅为 4.99 米。“儿子，女儿，妈妈做错了。”她嘤嘤哭诉，“妈妈只是想看看世界，但是现在，连家都快回不了了。”
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gengyouyisideshi，heichenshanniuzikusihushibilingdezuiai。duanwujiaqiqijian，neiwaishichangduokongxiaoxipinfa，jiyoueluosiwagenapanbiandengdiyuanyinsu，yeyouguoneijiaqilvxingchuyourenshu“guoyi”denghuobaojingxiang。6yue23rimeigu、ougu、ganggudengshichangchuxianpudiexingqing， zhouyiAguxingqingyechengweishichangguanzhudejiaodian。
而(贰谤)且(蚕颈别)医(驰颈)生(厂丑别苍驳)也(驰别)知(窜丑颈)道(顿补辞)她(罢补)即(闯颈)将(闯颈补苍驳)参(颁补苍)加(闯颈补)高(骋补辞)考(碍补辞)，不(叠耻)希(齿颈)望(奥补苍驳)她(罢补)生(厂丑别苍驳)命(惭颈苍驳)的(顿别)最(窜耻颈)后(贬辞耻)时(厂丑颈)刻(碍别)还(贬耻补苍)留(尝颈耻)有(驰辞耻)遗(驰颈)憾(贬补苍)，说(厂丑耻辞)她(罢补)经(闯颈苍驳)过(骋耻辞)一(驰颈)个(骋别)多(顿耻辞)月(驰耻别)的(顿别)治(窜丑颈)疗(尝颈补辞)后(贬辞耻)还(贬耻补苍)是(厂丑颈)有(驰辞耻)机(闯颈)会(贬耻颈)参(颁补苍)加(闯颈补)高(骋补辞)考(碍补辞)的(顿别)。
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顿补迟补产谤颈肠办蝉强(蚕颈补苍驳)调(顿颈补辞)，当(顿补苍驳)几(闯颈)个(骋别)月(驰耻别)前(蚕颈补苍)与(驰耻)投(罢辞耻)资(窜颈)者(窜丑别)讨(罢补辞)论(尝耻苍)潜(蚕颈补苍)在(窜补颈)的(顿别)融(搁辞苍驳)资(窜颈)轮(尝耻苍)时(厂丑颈)，“最(窜耻颈)初(颁丑耻)的(顿别)指(窜丑颈)导(顿补辞)金(闯颈苍)额(贰)不(叠耻)超(颁丑补辞)过(骋耻辞)1亿(驰颈)美(惭别颈)元(驰耻补苍)”，后(贬辞耻)来(尝补颈)随(厂耻颈)着(窜丑耻辞)更(骋别苍驳)多(顿耻辞)投(罢辞耻)资(窜颈)者(窜丑别)想(齿颈补苍驳)要(驰补辞)加(闯颈补)入(搁耻)在(窜补颈)础滨领(尝颈苍驳)域(驰耻)“抢(蚕颈补苍驳)地(顿颈)盘(笔补苍)”，最(窜耻颈)终(窜丑辞苍驳)融(搁辞苍驳)资(窜颈)额(贰)增(窜别苍驳)加(闯颈补)至(窜丑颈)五(奥耻)倍(叠别颈)。
参加本赛季中乙联赛的16支参赛球队，首阶段将采用南北分区赛制进行角逐。两个半区分别有8支球队，首先通过双循环主客场比赛，产生各区前4名、后4名球队，然后各区前4名球队（累计8支球队）、后4名球队（累计8支球队）分别落位中乙联赛第2阶段冲甲组、保级组。两组别内，在首阶段比赛中未交手过的球队，再进行双循环主客场比赛。这样本赛季中乙联赛累计进行22轮、176场比赛。冲甲组成绩前2名球队晋级中甲联赛，保级组最后2名降入中冠联赛。俗话说，不进则退，香港服务业的弊端已经被内地商家敏锐地嗅到了商机，“狼来了”的故事正在香港上演。《黑帮大佬大佬的365天第一季》高清不卡在线观看...
对于台积电2nm我们来谈谈2022-07-31 11:46·半导体行业观察来源：内容来自ctimes谢谢在十年之前谈2纳米（nm）制程芯片的量产那简直就像天方夜谭几乎是难以想像的生产技术但如今台积电已经正式宣布了量产时程这个原本市场以为不可能的芯片制程技术将会在2025年正式量产而台积2nm技术的宣布有什么重要性它又会带出哪些半导体制造技术的风向球本文就从技术演进以及竞争与成本的角度来切入分析FinFET微缩之路划上休止符台积电的2nm技术的宣布单就技术上来说就是正式宣告「鳍式场效晶体管（FinFET）」的微缩之路的终结这个堪称是近十年以来台积电最具竞争力的芯片制程技术最终都须止步于3nm毫无疑问FinFET是个好东西它除了让摩尔定律得以延续外同时也让晶圆制造厂可以持续提升芯片的效能并缩小体积它最大的特色就是采用了立体式的结构改善了MOSFET的电路控制性能并减少漏电流的发生另一方面也缩短了晶体管的闸长图一: 台积在2013年11月宣布成功试产FinFET采用16nm生产制程(source:TSMC)台积是在2013年11月宣布成功试产FinFET而当时所采用的生产制程是16nm；英特尔则是更早于台积是在2011年就已经推出了商业化的22纳米FinFET制程技术至于三星则是在14nm制程才采用了FinFET架构不过当时他们是处于追赶的位置还因此跳过了20nm制程直接进攻一个全新世代的技术并且取得了相当的成果可以说是一次成功的策略但走到现在也就是4nm和3nm这个关口FinFET的微缩之路终究来到了尽头由于单片的鳍式晶体管结构在这个制程之下其电子控制的效能会大幅度的衰减变得十分不稳定因此难以作为先进运算的核心技术自然也无法延续摩尔定律对性能提升的要求于是采用新架构的呼声就不断在产业界与学研界里响起虽然FinFET制程到了5nm以下就变成了一个关卡但台积依然透过他们强大的芯片制造能力硬是让FinFET走到了3nm而三星则是选择在此节点转向次世代制程这除了显示台积超越业界的制造能力外更凸显了台积对于获利与成本控制的高度重视三星抢推GAAFET制程企图弯道超车洞悉到FinFET的极限之后晶圆制造业者们当然就开始着手进行相关的研究布局以因应未来的先进制程服务之争但说白了现在市场上也就只剩下三星和台积两家公司有能力进行实际的量产所以目前若要寻求3nm以下的芯片制造服务就是一个非T及S的局谁先端出谁就赢了至少表面上是这样子也由于现在这两强之争的局面让落后的三星不得不采行较为激烈的「弯道超车」策略企图在3nm这个制程世代上就开始导入新的晶体管架构技术并期望借此追上甚至是超越台积电而三星他们选择的制程称为GAAFET「Gate-All-around Field-Effect Transistor」依据三星的说明它们的GAAFET是一种采用自行研发通道较宽的纳米片结构也就是自有的「MBCFET（Multi-Bridge Channel FET）」技术相较于较窄的纳米线GAA技术架构这种宽型的结构可以带来更高的效能与更佳的能源效率图二: 三星GAAFET制程技术的示意图（source:三星）此外三星也指出相较于5nm制程他们第一代3nm制程能降低45%功耗、提升23%效能、缩减16%面积；第二代3nm制程则可降低50%功耗、提升30%效能并缩减35%面积可全面优化芯片PPA指标但三星这个技术的宣布最重要的还是宣传的目的因为三星所有的盘算就是要抢先台积之前让市场知道他们的GAAFET已经开始正式量产而且是全球第一家的3nm芯片制造商不过其实是不是3nm并不这么重要最值得关心的是三星开始导入了新的晶体管制程技术但到目前为止他们良率与客户都属于未知的状态成本与获利更是仍待观察台积以王者之姿稳稳跨进纳米片世代尽管三星没有特别强调但我们从其所提供技术示意图来看就可以得知他们的GAAFET技术就是一种纳米片（Nanosheet）架构而这跟台积所发表的N2技术其实都是属于同一种技术类型换句话说未来市场上2nm以下的制程芯片都会是使用纳米片架构的晶体管相较于三星采用大动作追击的策略台积对于导入纳米片架构制程就显得保守且小心或者说是一种不疾不徐的态度我们回顾台积选择进入FinFET制程的时间点来看就可以端倪出这家公司的决策文化一来他们已是市场的领先者稳健拓展业务远比大胆推进技术更为重要；再者台积一向看重生产良率和高获利率不稳定、不够成熟的制程他们定不敢也不会贸然进行量产就因为这立场与策略的差异因此台积选择进入纳米片架构的时间点也就晚了三星一个世代而这个一世代的差异除了让台积在3nm制程上有更好的成本优势外也为他们的2nm制程取得了更多的研发和试产的时间依据台积自己公布的资料相对于N3新一代的N2技术在相同功耗下速度提升了10～15%；在相同速度下则功耗降低25～30%而在应用领域方面N2将会推出针对行动运算的基本版本另也会推出高效能版本和小芯片整合的解决方案预计在2025年开始量产不过这里就有一点性能上的差异因为三星的3nm GAAFET是对比5nm FineFET而台积N2则是对比N3所以单就各自帐面上的性能提升来看纳米片架构的的确确是能够突破FinFET的极限若是比较双方的数据差异则台积拥有微缩制程上优势其2nm具有较好的功耗表现不过三星的2nm制程也预计在2025量产目前其实际的效能数据则仍未公布图三: 台积与三星的纳米片结构制程比较纳米片成为产业共识但谁会需要2nm技术?对于台积与三星皆选择了纳米片架构作为下一代的制程技术其实一点都不令人意外甚至可以说是一种必然的结果比利时微电子研究中心（imec）就曾在一篇技术文章中指出(注1)纳米片可以视为FinFET的自然演变它能让许多针对FinFET制程应化的模组都能沿用至纳米片制程也促使业界更容易接受这套新架构不过FinFET与纳米片毕竟不相同在制程上仍有不小的差异Imec也指出了它们的四大关键差异且需要特别研发创新技术首先纳米片会利用矽（Si）与矽锗（SiGe）进行多层的磊晶成长致使传统的CMOS制程不再适用而且整个堆叠会进行图形化制成高深宽比的鳍片因此确保纳米片的型态是个挑战第二个差异是需要导入一层内衬层也就是增加一层介电层来隔离闸极与源／汲极进而降低电容第三个差异是纳米片制程多了一个释出通道的步骤而此过程需要高度选择性才能把少量的锗留在纳米片之间并降低矽材的表面粗糙度第四个差异是替代金属闸极的整合包含在纳米片周围与彼此间的间隙内沉积金属并进行图形化而从imec所指出的制程挑战可以看出进入纳米片结构制程的困难其实不小直接造成的就是制造成本将大增同时短时间内的良率应该不会太高真要下单投入生产所要承担的商业风险其实不小尤其是目前3nm制程的生产成本已经将近6亿美元若再往下走到纳米片的2nm则金额实在难以想像所以综合来看届时能有足够资本实力可以下单2nm制程芯片的业者其实已经屈指可数目前看来如果不是苹果（Apple）就是全力追求高性能与低高耗的绘图与处理器业者例如NVIDIA和AMD其他的行动运算平台业者如高通或联发科等现在都还难以推估他们届时是否具备足够的商业能力来投单当然Google和Amazon或者特斯拉也有可能投单2nm芯片因为他们的资本更加庞大同时所需要的效能表现又更加刁钻至于中国的业者也不应该被排除在外毕竟2025年还有一段时日美中的冲突也存在解除的可能性结语整体来说半导体微缩制程再往下走到2nm已是即将发生的事实而摩尔定律也还能再继续维持下去人们也将继续感受到电子装置与科技应用不断创新的便利性尤其是在运算与AI处理的体验上唯一的问题就是这超级庞大的制造成本究竟有多少人可以负担所以可以想见的是再往下探的微缩制程可能不再具备多少意义先进的半导体整合与异质设计可能才是日后芯片开发者需要关注的所在*免责声明：本文由作者原创文章内容系作者个人观点半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持如果有任何异议欢迎联系半导体行业观察今天是《半导体行业观察》为您分享的第3117内容欢迎关注晶圆｜集成电路｜设备｜汽车芯片｜存储｜台积电｜AI｜封装
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