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今年奥运会王楚钦的位置突出,是国乒男队历史上第一位身兼叁项(男团、男单、混双)的运动员,这对于此前从未参加过奥林匹克运动会的他来说无疑是一个严峻的考验,好在他此前已经长期在各大赛事中承担多项重任,想必也不会感到特别陌生。

2024年12月18日,所谓呼吸性碱中毒,是由于过快的呼吸导致身体排出过多二氧化碳,从而血液中酸碱值升高、动脉血二氧化碳分压降低,血浆碳酸氢盐相对增加,引起继发性呼吸性碱中毒等症状体征。

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网络文学进入IP粉丝文化时代2019-05-25 17:54·上观新闻2002年网名为黑暗之心(吴文辉)、宝剑锋(林庭锋)、藏剑江南(商学松)、意者(侯庆辰)、黑暗左手(罗立)的几个年轻人凑到一起白天上班晚上分工写程序、做产物、联系作者、交流读者搭建了一个可以在网上写作的平台他们在聊天室里把这个共同的梦想命名为起点同年5月起点中文网正式成立并拥有了001号至005号员工17年后的5月回眸这段历程可以发现这几乎也是中国网络文学的发展起点从首创付费阅读模式到拥有数百万名写作者起点只用了不到20年伴随网站而蓬勃发展的网络文学也早已在今天成为社会瞩目的文化现象网络文学20年的变与不变成为行业关注的焦点网文粉丝参与内容共创最近三年大家把时间花在网文看书已经不再是唯一的构成要素很多朋友都在说:一天在起点两个小时看书只占一半阅文集团旗下起点中文网总编辑杨晨断言网文开始了新的进化他将这种进化称作IP粉丝文化时代社交共读、粉丝社群 、粉丝共创是最突出的三个特征显而易见粉丝正取代读者成为网文领域频繁出现的词汇因为粉丝的互动性更强更有社群归属感纸质书时代在被窝里偷看武侠是很多人的共同回忆这是一种特别个人化的行为网络文学早期亦是如此但当下阅读已经不再沉默类似于弹幕的本章说成为最受欢迎的功能在起点中文网最新章节的本章说打开量占60%阅读本身的诉求和年轻世代的网络社交习惯让粉丝更愿意以社交共读的方式去表达去讨论以起点为例2018年有两部作品的阅读弹幕本章说达到百万级别;今年百万级本章说的作品量增加了11部围绕内容但又不限于内容的社交互动变得越来越频繁此外通过兴趣社交功能还形成了虚拟书友圈、角色圈、兴趣圈等丰富的垂直用户社区;目前书友圈累计发帖722万条浏览量3.3亿平台级别兴趣圈361个最大兴趣圈有近30万用户角色这一辅助创作功能上线让粉丝读者有机会直接参与作品角色的完善在粉丝共创机制下创建的角色有9万多个累计产生的角色互动达3000多万次网文的IP共创从最基础的内容故事到世界观完善到周边衍生可以说是全方位的几乎与作者的写作同步进行杨晨说粉丝写的同人小传、世界设定也并非仅限于国内读者小说《放开那个女巫》的国外读者就专门画了女巫的世界地图甚至还研究出书中武器的构造阅文集团产物运营副总经理兼起点产物负责人梅仁杰认为粉丝生态已成为起点增长的新驱动力在日前举行的发布会上起点公布截至今年4月平台上已累计产生7700万条互动评论数据段评对于平台人均阅读时长的贡献达到9.6分钟以上参与和阅读段评的用户为平台带来了付费率10%的提升积极参与互动的社区型用户日活留存率达95%正是有了共读、社群和共创网络文学逐渐告别数字出版或者说流量曝光时代向粉丝文化时代迈进建立网文翻译词汇库见到网络作家横扫天涯时他刚从铁饭碗辞职准备成为一名全职网络作家网络文学发展了近20年有10年时间横扫天涯都参与其中并为此贡献了无数个日日夜夜以及存在于网络上的几百万字网文最吸引人的是它的天马行空我从小就喜欢看武侠金庸、古龙都看就梦想着自己也能创造一个这样的世界有趣的是这位自称不懂英语的体育老师如今却拥有了大批海外读者这一切得益于网文出海近两年网文出海迅速进入大众视野而实际上这段出海之路要比想象的更长中国网文出海最早可追溯至21世纪初当时以借助出版向海外华语群体输出为主2005年左右外文出版授权启动揭开了网络文学出海1.0时代的序幕如今网络文学的出海模式又再度升级为以线上互动阅读为核心集合版权授权、开放平台等举措于一体2017年起点国际Webnovel上线标志网文出海2.0时代的开启平台已上线囧囧有妖的《许你万丈光芒好》、蝴蝶蓝的《全职高手》等数百本外文译作中国的网络文学被翻译成英语、日语、越南语等7种语言横扫天涯的《天道图书馆》更是其中的佼佼者这本被翻译成《Library of Heaven’s Path》的书长期占据海外点击、推荐榜双榜第一点击量超过1.2亿次业界认为该作有望成为具有世界级影响力的热门IP这本书讲的是师生情容易引起国内外读者的共鸣横扫天涯说这本书的翻译由新加坡籍网文读者StarveCleric承担两人常在微信上讨论特定词汇的翻译比如宇空元胎金丹珠玑等词有些是作者自创的直接用拼音固然容易但会妨碍外国读者理解于是横扫天涯先向StarveCleric解释含义再由他转译成合适的英文词汇起点也专门建立了翻译的词库尽量让翻译标准化目前这个翻译库已累积了数千个词汇例如后天翻译成Postnatal先天翻译成Connate太乙翻译成Primordial Unity天劫翻译成Heavenly Tribulation灵宝翻译成Numinous treasure、三千世界翻译成Trichiliocosm等在横扫天涯看来网络文学已经成为中国文化对外传播的一扇窗口书中穿插了一些传统文化比如孔孟之道、礼仪等国外读者对这些内容非常感兴趣栏目主编:施晨露 文字编辑:施晨露 图片编辑:邵竞本文图片:起点中文网

在人生的旅途中,让我们以这十七个人性真相为镜,不断反思、成长,最终找到属于自己的幸福与成功。所以说,人到60,一切都是过眼烟云,什么老公爱不爱的都无所谓了,记得好好爱自己就够了。

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天(罢颈补苍)气(蚕颈)展(窜丑补苍)望(奥补苍驳)

产耻丑耻苍驳耻补苍测耻苍蝉丑耻蝉丑颈辫颈苍测耻丑耻补驳辞苍驳辫颈苍,丑耻辞锄丑别蝉丑耻辞辩耻别产补辞测耻苍蝉丑耻蝉丑颈辫颈苍诲别驳耻补苍迟颈辩颈苍驳箩颈别,箩颈蝉丑颈测耻苍蝉丑耻补苍辩耻补苍锄别谤别苍,测别蝉丑颈蝉丑颈辫颈苍补苍辩耻补苍锄别谤别苍。箩颈补苍驳耻补苍产耻尘别苍测颈苍驳驳补颈尘颈补辞锄丑耻苍测耻苍蝉丑耻辩颈测别“尘颈补苍虫颈”丑耻苍锄丑耻补苍驳濒耻补苍虫颈补苍驳,箩颈补苍濒颈濒颈补苍丑别锄丑颈濒颈箩颈锄丑颈,箩颈补诲补诲耻颈测耻苍蝉丑耻、箩颈补辞蹿耻、蝉丑颈辫颈苍测耻补苍濒颈补辞肠丑补测补苍诲别苍驳锄丑辞苍驳诲颈补苍丑耻补苍箩颈别诲别箩颈补苍诲耻箩颈补苍肠丑补濒颈诲耻,诲补辞产颈、诲耻肠耻、测颈苍诲补辞测耻苍蝉丑耻驳别蹿补苍驳测补苍驳别濒耻辞蝉丑颈驳耻补苍迟颈辩颈苍驳虫颈、蹿别苍驳耻补苍测耻苍蝉丑耻诲别苍驳锄别谤别苍,蝉丑辞耻飞别颈丑补辞“蝉丑别箩颈补苍蝉丑补苍驳诲别补苍辩耻补苍”。锄辞耻锄丑别苍尘别苍驳蝉丑耻辞:“飞辞箩耻别诲别丑别颈濒辞苍驳箩颈补苍驳蝉丑颈蹿别颈肠丑补苍驳虫耻测补辞肠丑耻补苍驳测颈蝉丑别箩颈诲别。测颈苍飞别颈产耻濒耻苍蝉丑颈锄耻辞蝉丑别箩颈丑耻补苍蝉丑颈锄耻辞辫颈苍辫补颈,锄耻颈锄丑辞苍驳测补辞诲别锄耻颈驳补辞诲别箩颈耻蝉丑颈箩颈补锄丑颈濒耻苍,辩颈测别箩颈补锄丑颈濒耻苍、肠丑别苍驳蝉丑颈箩颈补锄丑颈濒耻苍、辫颈苍辫补颈箩颈补锄丑颈濒耻苍,锄丑辞苍驳箩颈补苍锄耻颈丑别虫颈苍诲别蝉丑颈飞辞尘别苍诲别肠丑补苍辫颈苍,锄补颈飞补苍驳蝉丑补苍驳蝉丑颈飞辞尘别苍诲别蹿耻飞耻,锄补颈飞补苍驳蝉丑补苍驳蝉丑颈飞辞尘别苍诲别迟颈测补苍,锄补颈飞补苍驳蝉丑补苍驳蝉丑颈飞辞尘别苍诲别锄丑颈蝉丑颈,锄补颈飞补苍驳蝉丑补苍驳蝉丑颈飞辞尘别苍诲别尘别苍驳虫颈补苍驳。”

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转发个链接怎么就犯了法?这6个电诈新套路专骗老年人!功率器件行业研究:新能源驱动景气度持续提升,国产替代加速2022-06-30 11:06·未来智库(报告出品方/作者:兴业证券,李双亮、姚康)1、功率半导体:电能转化的关键器件,汽车和工业应用为主1.1、功率半导体是电能转换和电路控制的关键器件1.1.1、二极管、MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件功率半导体器件,也称为电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。逆变(直流转换成交流)、整流(交流转换成直流)、斩波(直流升降压)、变频(交流之间转换)是基本的电能转换方式。功率半导体中包含了功率分立器件和功率集成电路(Power IC),功率分立器件主要包括二极管、晶体管和晶闸管,功率 IC 还集成了驱动/控制/保护/接口/监测等外围电路,包括 AC/DC、DC/DC、电源管理 IC 和驱动IC 等。二极管、晶体管和晶闸管在器件的可控性上有所区别,二极管不可控,晶闸管是半控型器件,应用相对传统,晶体管是全控型器件,主流的晶体管包括MOSFET、IGBT 和双极型晶体管(BJT)等。 BJT 属于电流型器件,导通电阻大,损耗大,效率低,不过工艺成熟,成本较低。MOSFET 和 IGBT 都属于电压型器件,导通电阻小,损耗低,效率高。IGBT可以看成 MOSFET 和 BJT 的复合器件,导通电阻更低,损耗小,耐压能力更强,适合高压、大电流场景,MOSFET 的开关频率则更高,应用场景十分丰富。全球功率半导体市场规模大约 450 亿美元左右,功率IC 和功率分立器件各占一半左右。根据 Omdia 数据,2020 年功率分立器件市场规模约209 亿美元,其中MOSFET、IGBT、二极管和晶闸管等占比分别为 39%、32%、29%,规模分别为81 亿、66.5 亿、61.5 亿美元,IGBT 中模块占比最高。1.1.2、SiC 高频特性好,转换效率高,前景广阔以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。随着工艺的成熟和产业化的提升,近年来碳化硅被越来越广泛地被应用在功率器件中。相比于硅,碳化硅有更好的高频特性,更高的耐温及导热能力。同时碳化硅导通和关断损耗低,提高了能量转换效率。因此碳化硅在新能源汽车、风光储、家电等领域有广阔前景。特斯拉在 Model3 的主驱系统中大量使用碳化硅器件,在提升整车动力性能的同时,也减少了电能损失,提升续航里程。从 TCO(总体拥有成本)角度来看,碳化硅器件反而带来了系统成本的优势。碳化硅具有高耐压特性,因此在800V高压平台下,性能优势发挥更大。随着新能源汽车步入800V 高压平台,碳化硅器件的渗透率将加速提升,如比亚迪、小鹏、蔚来、奔驰等都相继发布了碳化硅车型。根据 Yole 预测,2024 年全球碳化硅器件市场将达到25 亿美元左右。从下游应用角度看,汽车、工业控制及新能源发电是碳化硅主要的应用领域。其中汽车应用占比超过 50%,工控及电力紧随其后,分别占约占20%及15%市场份额。1.2、下游领域广泛,汽车和工业应用为主作为电能转化和电路控制的核心器件,功率器件下游应用十分广泛,包括新能源(风电、光伏、储能和电动汽车)、消费电子、智能电网、轨道交通等,根据每个细分领域性能要求的不同(频率、电压、损耗),选择不同的功率器件。按照下游应用划分,汽车领域占比达 40%,其次是工业占比27%,消费电子占13%,其他领域(如通讯、计算机等领域)占 20%,功率器件在汽车和工业领域应用较多,需求稳定性也较强,消费领域应用相对较少。2、新能源产业核心元器件,功率器件市场规模迎快速增长2.1、新能源应用拉动,IGBT 模块、SiC 模块和MOS 是主要增量根据 Yole 的数据,2020 年全球功率半导体器件市场大约175 亿美元,2026年将增长至 262 亿美元,复合增速达到 6.9%。其中,增量较大的主要是IGBT模块、SiC 模块、MOSFET 和 GaN 产物。其中,硅基 MOS 市场规模将从 2020 年的 75 亿美元增长至2026 年的94亿美元,复合增速为 3.8%,IGBT 市场规模将从 54 亿美元增长至2026 年的84 亿美元,复合增速为 7.5%,SiC 模块市场规模从 2020 年的 5 亿美元以下增长至2026年的20亿美元以上,而硅基 MOS、IGBT 和 SiC 模块主要增长的下游驱动均来自于电动车和工业(主要是光伏、风电和储能)领域。2.2、受益电动化、高压化,车用功率器件价值量数倍提升车用功率器件快速增长主要来自于电动化。所有汽车都会配备12V平台,2011年,欧洲车企联合推出 48V 轻混系统,以满足日益增长的车载负载需求以及排放法规。在新能源汽车中,为满足动力高功率需求,400V(或更高电压)电气平台被引入,伴随着需要使用大量的功率器件。新能源汽车中,新增功率器件主要用于主驱逆变器、车载充电机(OBC)、直流-直流变换器(DC-DC)等动力系统零部件。除动力系统之外,热管理系统中的PTC加热器、压缩机,水泵和油泵等需要功率器件进行驱动,另外,配套的充电桩也需要使用大量功率器件。功率等级的不同也对应不同功率器件的选择。燃油车功率器件价值量大约 70 美元,插电混动和纯电汽车由于新增功率器件具有高压、大功率的特点,价值量提升较大,根据英飞凌测算,纯电和插电混动汽车半导体价值量 834 美元,增量 438 美元中 330 美元来自于功率器件。在全球市场,特别欧洲地区,48V 混动系统仍有一席之地,其 176 美元的增量中有90 美元来自于功率器件。首先是主驱逆变器,是新能源汽车中功率最大的地方,平均在50-200kW。电力驱动总成(E-Axle)是今后新能源汽车主要的动力驱动总成的交付形式,是集成电控、电机和减速器三合一产物,电控的逆变器将电池产生的直流电转换为交流电,驱动电机工作,在一辆 A-B 级车中,单个驱动总成价值量在10000 元人民币左右。E-Axle 中电机控制器、电机和其他成本分别占成本的36%、36%及27%。电机控制器中包含 IGBT 模块,电容,驱动电路板,控制电路板等。电机控制器的核心器件为 IGBT 模块,特斯拉是采用 SiC 的 MOSFET,设计也围绕其展开。将直流电转换为交流电则是由 IGBT 模块/SiC MOSFET 完成。特斯拉的逆变器中使用了 24 个 SiC 的 MOSFET 单管,每相8 个,每4 个MOSFET单管并联成一个 Switch。常用的 IGBT 标准模块有18 个IGBT 和18 个FRD,通过铝键合线和陶瓷覆铜基板导通。IGBT 模块是电机控制器中价值最高的部分,占比 37%,我们测算得到单车价值量约为 1300 元人民币。其次是车载充电机(OBC),作用是将交流电转换为直流电并升压给动力电池充电。一般 OBC 是两级结构:一级为 PFC 电路(AC-DC),二级为LLC升压电路。两部分电路均需要用到功率器件。PFC 电路中一般每相需要2个MOSFET,LLC电路中需要 4 组 MOSFET,根据电路结构不同,每组一般为2-4 颗MOSFET,共计14-22 个器件,基本都是高压 MOSFET。在 OBC 中,主要成本为电路、磁件和电容,MOSFET 约占成本7%。6.6kW的OBC 价格在 3000-4000 元人民币,可以测算出高压 MOSFET 价值量在250元左右,因为 OBC 根据充电速度不同,会有不同的功率要求。目前OBC的功率范围在2-22kW,我们估算单车价值约为 100-600 元。 DC-DC 变换器将动力电池高压直流电转换为低压直流电,一般采用MOSFET,原边使用高压器件,副边中压器件,我们预估价值量大约100 元人民币。除了动力系统外,车载空调控制器对功率器件所需功率较低,约在1.5-5kW,主要采用 IGBT,以分立器件或者模块形式封装,每个空调系统中需要6 个器件,我们估算其价值量约为 100 元人民币,模块封装的成本相当。另外,PTC加热器、水泵、油泵也需要使用功率器件。我们估算动力系统以及空调压缩机、PTC加热器等零部件将带来 1850 元功率器件增量(低于英飞凌的330 美元,主要是英飞凌功率器件价格较为昂贵),A0 和 A00 车型价值量由于主驱功率等级较低要少600元左右。随着技术发展,功率器件的功率密度提高,价格也将随之下降。但由于行业保持高景气度,产物价格降低速度较为缓慢。2021 年,根据中汽协数据,中国新能源汽车年销量超过了350 万辆,同比增长超过 150%,全球新能源车销量接近 650 万辆,同比增长超过100%,均实现了高速增长。我们测算出国内和全球 2021 年新能源车用功率器件市场规模分别为11亿美元和 23 亿美元,随着未来新能源车渗透率持续提升,预计2025 年国内和全球新能源车分别超过 900 万辆和 2100 万辆。我们预测对应的功率器件市场规模分别达到 28 亿美元和 72 亿美元,复合增速分别为 25%和33%,均保持快速增长的态势。高压化也是汽车电动化之后一个新的趋势,高压化指的是将目前电动车的400V电气平台升级为 800V 电气平台。高压化能在降低充电时间、提升电气平台效率同时降低整车重量。其中加快充电速度,以减少里程焦虑是下游客户选择高压平台的主要驱动之一。根据保时捷测算,在 400 公里续航里程的条件下,续航充电800V 平台可以将充电时间从 29 分钟降低至 19 分钟,从而大幅减少用户在充电站的等待时间。目前国内新势力,传统整车厂和海外平台相继跟进高压化。高压电气平台也对使用的电力电子设备提出了更高的要求,因此其中的功率器件也需要全面的升级。除了动力电池及 BMS 需要提升外,高压电路中的主驱逆变器,OBC,DC-DC,电空调中的功率器件都需要向更高耐压的型号升级,因此单车价值也会有所提升。在 400V 平台中,功率器件以 IGBT 为主。在电气平台升级为800V之后,高耐压的 IGBT 阻抗升高,频率性能下降,硅基功率器件的导通损耗、开关损耗都有显著的上升。这导致器件成本提高的同时,能量转换效率也会下降。而碳化硅材料具有高耐压和高频特性好的特点,随着碳化硅器件工艺逐渐成熟,产能扩张,其成本也会快速下降,未来将成为 800V 平台中功率器件的主要选择。随着新能源车快速渗透,对于充电桩的需求也快速增长,并且新能源车电池容量不断增大后,交流充电桩的充电效率已经无法满足车主的需求,因此直流充电(俗称“快充”)成为一种具有吸引力的选择,公桩一般为直流充电桩,一个100kW的直流充电桩可以在 30 分左右将电车充满电。 直流充电桩的电路结构与 OBC 类似,有 PFC 电路和LLC 电路,由于功率等级较高,一般为 30kW-120kW,需使用高压 MOSFET 器件,根据英飞凌统计,100kW的充电桩需要功率器件的价值量在 200-300 美元。根据 IEA 数据,国内 2020 年底直流充电桩保有量81 万个,公桩+私桩合计保有量 168 万个,全球直流充电桩保有量 250 万个,公桩+私桩合计保有量950万个。预计到 2025 年,国内直流充电桩保有量超过 400 万个,全球超过1000 万个。我们测算出国内和全球 2025 年充电桩用功率器件市场规模分别将达到24 亿元和87亿元人民币(按照 6.7 的汇率全球规模折算为 13 亿美元),2020-2025 年复合增速分别为 49%和 48%,将持续保持高速增长的态势。(报告来源:未来智库)2.3、风光储市场持续高增长,高压功率器件需求旺盛在新能源发电领域中,风能发电、光伏发电市场快速发展,因为直接产生的电能不能直接并入电网,因此需要通过变流器、逆变器等进行电能转化,进行储存或者并入电网,储能领域也是如此,储能变流器需要控制储能电池组的充放电,进行交直流变换,功率器件作为其核心电能变换器件,需求迎来大幅增长。在光伏发电领域中,光伏逆变器主要分为集中式逆变器、组串式逆变器和微型逆变器,对于不同的应用环境和功率要求,选择不同类型逆变器。光伏逆变器中包含升压模块和逆变模块。一般光伏逆变器采用 3 相全桥形式,逆变模块需要6组IGBT。以阳光电源的逆变器 SG125HV 为例,使用了3 个英飞凌的IGBT模块,每个模块中封装了 2 组 IGBT。升压模块中用到 Boost 电路,会根据功率需求配置几组 MOSFET 器件。因为碳化硅器件转换效率高,逐渐在新能源发电中被采用。国产光伏逆变器厂商市占率全球领先,2019 年在全球逆变器出货排名前十中,有六家来自中国的供应商,分别为:华为、阳光电源、古瑞瓦特、锦浪科技、上能电气和固德威。其中华为和阳光电源市占率分别达22%和13%,位居全球前二。国产逆变器厂商实力雄厚,出货量稳固,也利于国产功率器件进入国际市场。在风力发电领域,风电变流器根据风速大小适应发电机转速,使风机实现最佳风能捕获,风电变流器是关键部件之一。风电变流器分为机侧和网侧两部分,采用IGBT 模块。机侧和网侧的变流器各有 6 组 IGBT,共计12 组。单个功率模块功率有限,每组 IGBT 会用多个 IGBT 模块进行并联,以达到需要的电压和功率。在碳中和、碳达峰趋势下,全球风电、光伏新增装机量持续快速增长,2021年全球光伏新增装机达 175GW,同比增长超过 21%,风电新增装机量约94GW,同比基本持平。随着风力和光伏发电设备装机量的增加,电网在输配、波动性调控方面难度加大,储能市场迎来爆发式增长,预计 2025 年风电,光伏,储能总计总新增装机量将增长至 687GW。结合功率器件每 GW 的价值,根据我们测算,2021年全球光伏逆变器、风电变流器、储能变流器需要的功率器件市场大约114亿元,2025 年有望增长至 255 亿元(按照 6.7 的汇率折算为38 亿美元),复合增速达到22%。3、供不应求状态持续,国产替代进入加速期3.1、功率器件工艺、认证壁垒高,玩家以欧美日为主全球功率器件竞争格局相对集中,以欧美,日系公司为主。英飞凌是全球行业龙头,根据 Omdia 数据,2020 年英飞凌市占率近 20%,安森美和意法紧随其后,市占率为 8.3%和 5.5%,前三均为欧美公司。前十中有五家日本公司三菱、东芝、富士电机、瑞萨和罗姆,市场占比分别为 5.0%、4.6%、4.6%、2.6%及2.5%。在主要细分领域中,英飞凌市场份额遥遥领先,在功率MOSFET、IGBT单管、IGBT 模块市场份额分别为 24.4%、29.3%、36.5%,接下来便是安森美、意法、东芝、瑞萨、三菱等欧美日系公司。可喜的是,功率 MOSFET 市场,华润微、安世、士兰微跻身前十,IGBT 单管市场士兰微、IGBT 模块市场的斯达也都进入全球前十,虽然目前市场占有率还较低,但也说明了产物力在持续提升。功率器件市场长期由国际大厂主导,主要在于行业壁垒高,特别是在制造、封装工艺上,需要有深厚的积累,同时又有很高的认证门槛。功率器件在半导体行业中属于特色工艺,并不追求先进制程,除了光刻之外,沟槽、减薄、能量注入,背面金属化等,这些独有的工艺加深了行业的壁垒。功率器件的封装工艺也十分重要,直接关系到器件性能。优秀的封装工艺能提高器件的最大功率和耐久性,同时也需要长时间的技术积累。未来在SiC被逐渐应用之后,为最大化挖掘其性能,新的封装形式和封装技术将会被大量使用,如银烧结,AMB,转模封装等。 英飞凌、安森美、意法等国际大厂,在制造、封装工艺上有着深厚的技术沉淀,并且都是 IDM 模式,工艺经验持续积累、提升。以英飞凌为例,IGBT产物历经七代升级,从最初的平面栅到沟槽工艺,再到最新的微沟槽,功率密度持续提升,同时具备更好地开关性能,损耗也持续降低。此外,功率器件行业下游主要为汽车、工控、光伏等工业领域,相较于消费电子,器件认证难度更大,对产物可靠性,耐久性要求高。特别是汽车行业,除了标准AECQ 等测试,Tier1 和整车厂都有测试标准。测试要求复杂,难度高,也需要较大资金投入。新厂商的进入门槛较高,也巩固了龙头公司的领先地位。3.2、全球供需缺口仍在扩大,行业景气持续上行根据 Semi 统计,在功率半导体行业(包含化合物半导体)从2021 年至2024年共有 63 家公司将会增加超过 200 万片晶圆/月产能(等效8 英寸晶圆)。英飞凌、华虹、意法、士兰微会是本次扩产主导者,这几家增加的产能约70 万片晶圆/月。其中海外 IDM 主要在 SiC 领域扩充产能,国内厂商则是扩产硅基产物。Semi 预计从 22 年至 24 年,功率半导体产能增速分别为 6%、5%、4%,而整体功率器件市场 2020-2026 年的复合增速为 6.9%,紧张的供求关系有望持续。对应到资本开支方面,28 纳米是一个非常重要的节点,可以看作是先进工艺和成熟工艺的分水岭。根据 IHS 数据,2021-2022 年全球86%半导体资本投入在28纳米及以下的先进制程中,仅约 12%的资本开支投入在28 纳米以上的成熟制程,这也是功率半导体产能扩充缓慢的主要原因。按照区域来看,中国是全球最大的市场,占全球近40%市场份额,但是对进口产物依赖较高,根据海关数据,中国的主要功率器件进口金额远大于出口金额。跟踪过往 12 个月,平均每月约有 5 亿美元贸易逆差,全年逆差约有61 亿美元,从这个角度,国内市场功率器件缺口更大,国产替代红利将持续释放。3.3、国产厂商产物不断突破,进口替代进入加速期近年来国内功率半导体公司成长迅速,有以士兰微、华润微、时代电气、安世为代表的 IDM 厂商,也有以斯达半导、新洁能、东微半导为代表的Fabless 公司,以及 IDM 和 Fabless 并举的扬杰科技。产物方面,士兰微、安世、扬杰科技品类较为齐全,斯达半导、时代电气聚焦 IGBT,华润微、新洁能和东微半导聚焦MOSFET,并都有所突破,士兰微做到了全球前十,斯达半导 IGBT 模块市场前十,安世MOSFET 市场前十,华润微MOSFET 市场前十。在技术方面,国产厂商也在各自优势领域,各有突破。士兰微完成12 寸功率产线建设并成功量产;斯达半导完成第七代 IGBT 研发,并进入量产阶段,对标英飞凌最新产物;东微半导体推出高功率超级结产物,打破国外厂商垄断;新洁能的新一代 SGT 产物,提高转换效率,步入车规市场。随着越来越多国产厂商产物取得突破,进入车规和风光储市场,国产替代进入加速期。在 IGBT 模块产物中,我们选取英飞凌和斯达两款产物进行对比,分别采用GD1200 和 FF1200 系列中高压、高电流产物,IGBT 芯片也处于同一代工艺技术。这类产物主要应用在 UPS 系统,风电换流器,电机传动系统中。这两个模块性能耐压和最大电流分为为 1200V 和 1200A。产物主要性能上,斯达产物的栅极-发射极峰值电压(VGES),在各个条件下导通压降(VCE(SAT))性能和英飞凌相当。而在一些开关控制特性上如栅极阈值电压(VGEth),导通和关断损耗(Eon,Eoff)这些特性与英飞凌的产物有一些差距。公司的产物与同代的国际龙头在产物特性上基本达到同一水平。在 MOSFET 领域中,我们选取英飞凌和东微两款高压超级结MOS 产物进行对比。这两款产物主要的应用领域在充电桩,通讯及服务器电源等。在主要的性能参数中,如导通电阻(RDS(ON)),耐压等性能相似。两者差别主要在于东微在高温下导通电阻偏高,性能相较于英飞凌略有差距。4、重点公司分析4.1、士兰微士兰微成立于 1997 年,于 2003 年上市,公司从集成电路芯片设计业务起家,逐步搭建了特色工艺的芯片制造平台,业务不断延伸至功率器件、功率模块、MEMS传感器、高端 LED 彩屏像素管和光电器件的封装领域,目前已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的公司之一。经过二十余年的行业深耕,公司产物线齐全,下游涵盖家电、工业、LED照明、汽车、消费电子、影音设备等多个领域,积累了 VIVO、OPPO、小米、海康、大华、美的、格力、比亚迪、汇川、英威腾、阳光、LG、欧司朗、索尼、台达、达科等全球品牌客户。近年来,公司产物结构持续优化,器件和集成电路两大高毛利业务的收入占比和毛利率水平不断提升,器件的收入占比从 2017 年的42%提升至2021 年的53%,器件毛利率也从公司持续进行技术积累与产能投入,随着下游新能源行业高景气度持续和国产替代加速,公司产能也逐步释放,2021 年收入、利润均高速增长。2021 年公司实现营业收入 71.94 亿元,同比增长 68.07%,2016-2021 年CAGR 为24.81%;实现归母净利润 15.18 亿元,同比增长 2145.25%,2016-2021 年CAGR 为73.73%。利润率方面,2021 年行业高景气下公司稼动率饱满,毛利率为33.19%,同比增长10.69pct。未来随着公司产能持续爬坡与产物结构的升级,盈利能力有望不断提升。为抓住行业机遇,公司产能扩充计划稳步进行。根据公告,公司拟投资39亿元通过子公司士兰集昕建设“年产 36 万片 12 英寸芯片生产线项目”,建设期3年。若新 12 英寸产线顺利投产,叠加士兰集科持续爬坡的6 万片/月产能,届时12英寸总产能将达 9 万片/月。这将巩固公司 IDM 龙头优势,为公司长远成长奠定产能基础。公司作为国内功率 IDM 龙头,MOS、IGBT 在白电、光伏、电动车领域持续突破,份额不断提升,未来成长空间广阔。4.2、斯达半导斯达半导成立于 2005 年,于 2020 年上市,长期致力于IGBT、快恢复二极管等功率芯片的设计和工艺开发及 IGBT、MOSFET、SiC 等功率模块的设计、制造和测试,产物广泛应用于工业控制和电源、新能源发电、新能源汽车、白色家电等领域,是目前国内 IGBT 领域的领军公司。其中,工业控制及电源行业是公司产物的主要应用领域,同时新能源行业的占比不断提升,2021 年占比 33%,产物结构持续优化。IGBT 模块的销售收入占公司主营业务收入的 90%以上,是公司的主要产物。受益于功率半导体行业景气上行,叠加新能源占比持续提升,公司生产的汽车级IGBT 模块合计配套新能源汽车数量不断增加,在车用空调,充电桩,电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额也进一步提高,推动公司收入和利润高速增长。2021 年,公司实现营业收入 17.07 亿元,同比增长 77.22%,实现归母净利润3.98亿元,同比增长 120.49%。利润率方面,由于公司在模块封装和芯片设计方面具有领先优势,产物物料成本得以持续降低,且随着产能释放,规模效应逐渐显现,带来生产效率提升,推动公司利润率持续提升,2021 年全年公司毛利率为 36.7%,同比增加5.16pct。随着新能源汽车客户验证完成,配套 A 级及以上车型的高功率产物在22年持续放量,增速有望持续,将成为 22 年增长的最大推动力。此外,公司继续布局碳化硅业务,在轨交、新能源汽车和光伏行业进一步推广应用。尤其在新能源汽车领域获得多个 800V 碳化硅项目定点,保障公司在中长期业绩的高速增长。4.3、闻泰科技闻泰科技成立于 2006 年,2016 年借壳中茵股份上市,目前业务包括三大板块:产物集成业务、半导体业务和光学模组业务。其中,半导体业务的收入占比持续提升。半导体业务在 2020 年实现收入 98.9 亿元,占比19%;2021 年实现收入138.0亿元,占比 26%。此外,在收购安世半导体后,公司境外收入显著增长,2020年境外收入占比 64%,2021 年占比 54%。闻泰科技在 2018 年发布公告购买安世的股权,2020 年取得安世100%的股份,给公司带来巨大的协同效应,打通产业链上游。收购前,公司位于产业链中游,上游主要供应商包括半导体在内的电子元器件供应商,下游客户包括华为、小米、联想、MOTOROLA、魅族、中国移动等知名厂商。安世半导体处于产业链上游,为世界一流的半导体标准器件供应商,公司收购后能够前瞻布局电动汽车业务。同时,安世与公司在客户、技术和产物等多方面具有协同效应,双方在整合过程中可以实现资源的互相转换,加速安世集团在中国市场业务的开展和落地,通过上市公司的资源进一步拓展其在消费电子领域的市场。在收购完成后,公司的业务领域得到极大的拓展。研发中心和晶圆厂遍布全球,在北美、欧洲、亚洲等地都有布局,从上游半导体标准器件到中游智能硬件的研发设计和制造进行全面打通,实现了主要元器件的自主可控,有助于构建全产业链生态平台。近年来,公司收入、利润持续稳健增长。2020 年,尽管受疫情影响,公司依然凭借高质量的管理对收购的安世集团进行了高效整合,使得协同效应不断升级,2020年营业收入和归母净利润分别同比增长 24.36%和 92.68%。2021 年,受益于半导体业务的需求持续强劲,公司实现收入 527.29 亿元,同比增长1.98%,实现归母净利润 26.12 亿元,同比增长 8.12%。利润率方面,随着安世持续进行产物结构升级,加强高毛利率产物包括逻辑、模拟、功率 Mos 等的产能和料号扩充,半导体业务盈利能力的显著提升。公司2021年毛利率为 16.17%,同比增长 0.96pct,其中,半导体业务毛利率为37.17%,同比增加 11.55pct。随着新能源汽车销量的加速增长,单车用功率半导体数量有望实现数倍级提升,公司抓住行业机会积极扩产,在德国汉堡晶圆厂的新增8 英寸晶圆产线已顺利投产运营,结合 Newport 晶圆厂产能向 IDM 自有产能的转换与先进工艺的融合,有助于公司抓住电动汽车时代和 AIoT时代带来的双重机遇。(报告来源:未来智库)4.4、东微半导东微半导成立于 2008 年,于 2022 年上市,产物专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产物领域实现了国产化替代。按下游分类应用分类,公司产物可分为工业级和消费级,其中工业级包括新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源;消费级包括 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器。按产物类型分类,高压超级结 MOS 管系列是公司最主要的产物,2021 年占收入的比重为73%。受益于公司持续开拓新兴市场,产能持续增加,高压超级结MOS 和中低压屏蔽栅 MOS 在新能源充电桩、逆变器、通信和工业电源领域持续放量,公司收入和利润大幅提升。2021 年,公司实现营业收入 7.82 亿元,同比增长153.28%,实现归母净利润 1.50 亿元,同比增长 430.66%。利润率方面,公司下游充电桩、逆变器等领域持续高景气,且工业和汽车等高毛利应用占比持续提升,公司利润率水平大幅增加。2021 年全年公司毛利率为28.72%,同比增加 10.87pct。公司在功率器件的设计和工艺的实现均有较好的积累,并且和国内头部晶圆厂华虹深度合作,代工厂还包括广州粤芯和 DBHitek 等,产能有充分保障,公司也是国内较为领先在 12 英寸生产的功率器件厂商之一。公司聚焦于汽车和工业两个功率器件增速最快的下游领域,拓展了比亚迪、英博尔、华为、特锐德、英飞源、禾迈股份等优质客户,将充分享受行业快速发展红利。4.5、扬杰科技扬杰科技成立于 2000 年,于 2014 年上市。公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的厂商,产物广泛应用于汽车电子、新能源、5G、电力电子、安防、工控、消费类电子等诸多领域。公司产物线涵盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,其中半导体功率器件占比 80%左右。同时,在市场推广上,公司实行“扬杰”和“MCC”双品牌运作模式,“扬杰”品牌主攻国内和亚太市场,“MCC”品牌主打欧美市场,不断扩大国内外销售和技术网络辐射范围。近年来,受益于功率半导体行业高景气和各领域下游需求旺盛,公司的收入和利润均实现了高速增长,2021 年,公司实现营业收入43.97 亿元,同比增长68.00%,实现归母净利润 7.68 亿元,同比增长 103.06%。利润率方面,由于产物结构持续升级,公司 2021 年毛利率为35.1%,净利率为18.8%,同比均有明显提升。产能方面,公司通过 IDM+Fabless 并举的模式,其中二极管、小信号、整流桥等产物主要通过 IDM 模式,产能持续扩充,近期收购楚微半导体布局8 寸产能和碳化硅产线,MOS、IGBT 等新产物则与中芯绍兴战略合作。我们认为,随着新产物持续放量,以及在光伏、电动车等新能源领域份额持续提升,公司未来成长动能十分充足。4.6、新洁能新洁能成立于 2013 年 1 月,2020 年 9 月上市,公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军公司,2016 年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强公司”。 根据公司公告,功率器件是公司产物最主要的出货形式,该业务发展迅速,营收在 2016 年至 2021 年从 1.5 亿元增长至 13.5 亿元人民币。按照工艺平台,公司产物分为沟槽型 Mos,屏蔽栅 Mos,IGBT 和超级结Mos 及其他。2021 年这些业务占比分别为 45%,39%,5%,11%。公司产物广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G 等领域。产物类别全面,目前已拥有覆盖 12V~1700V 电压范围、0.1A~450A 电流范围的多系列细分型号产物,共计1500余款,能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。受益于功率器件行业高景气度,各领域下游需求旺盛,客户产物导入加快,公司营收快速增长,公司净利润也快速增长。2021 年,公司实现营业收入14.98亿元,同比增长 56.89%,实现归母净利润 4.10 亿元,同比增长194.55%。利润率方面,随着公司产物不断丰富,工艺持续完善,自有封装产能逐渐释放,以及公司根据下游市场,积极调整各平台内部的产物结构,盈利能力逐步提升。公司 2021 年毛利率为 39.12%,同比增长 13.75pct,归母净利润率为27.40%,同比增长 12.8pct。公司凭借行业高景气度,抓住下游客户国产化导入进程加快的时机,努力调整产物结构、市场结构和客户结构。公司积极拓展汽车电子(含燃油车和新能源汽车)、光伏逆变和光伏储能、5G 基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端领域,特别在车规产物方面,公司建立了一套汽车电子产物的质量管控体系,有力推动了公司在车规产物的市场突破和应用。(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)精选报告来源:【未来智库】。未来智库 - 官方网站倾城之巅全文免费阅读(长安墨色)全文免费阅读,倾城之...

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