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四川大学&西南交大:分子设计钝化电子传输层以提升PeLED效率!2023-11-24 17:33·材料material迫切需要一种钝化电子传输层(ETL)的方案来有效抑制钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率(EQE)滚降。这将有利于实现下一代照明和显示。在这里,四川大学和西南交通大学的研究人员设计了具有强亲核核心基团的固有钝化ETL B3PyPPM,以有效钝化钙钛矿表面缺陷。与ETL B3PyMPM相比,B3PyPPM理论上可以与钙钛矿表面形成更紧密的相互作用,并转移更多的电子以更好地钝化表面Pb2+空位,从而通过减少陷阱辅助的非辐射复合来更好地抑制PELED中的EQE滚降。实验上,与基于B3PyMPM的PeLED相比,基于B3PyPPM的PeLED表现出18.04%的更高EQE、4.15倍的更大亮度和5.38倍的更长T50,显然证明了更强的亲核核心基团的ETL具有优异的EQE滚降抑制。因此,这项工作为合理设计多功能ETL以实现PELED的高性能和长期稳定性提供了重要指导。相关论文以题目为“Molecularly Designing a Passivation ETL to Suppress EQE Roll-off of PeLEDs”发表在ACS Energy Letters 期刊上。论文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsenergylett.3c01379钙钛矿发光二极管(PeLED)由于其高亮度、高成本效益的制造工艺、低功耗和快速响应速度,是下一代显示、照明和通信的一个很有前途的选择。其独特的优势,如优异的电荷输运特性和高发射量子产率,在器件效率方面取得了重大突破。迄今为止,红色、绿色和蓝色PeLED的外量子效率(EQE)分别超过25.8、、28.9和18%。然而,在高电流密度或亮度下的效率衰减(称为EQE衰减)问题仍然阻碍了PeLED的高亮度和商业化。通过实施各种策略,如电荷注入平衡、钙钛矿工程、激子管理、和器件结构工程,已经做出了相当大的努力来克服PELED中的EQE滚降。在这些方法中,钙钛矿的缺陷钝化被认为是抑制EQE滚升的最有效方法之一。迄今为止,已经采用了许多策略,如配体工程、界面修饰、和表面处理以钝化表面缺陷。表面缺陷通常表现出比钙钛矿中的体相缺陷高得多的密度。因此,钝化表面缺陷对于抑制EQE滚降和改善PeLED的器件性能具有决定性意义。然而,大多数对于表面缺陷钝化的研究都集中在使用小分子稳定剂或聚合物薄膜钝化层。众所周知,亲核性随着电子密度的增加而增加,为电子从ETL转移到钝化表面缺陷提供了更大的机会。在此,我们利用DFT计算,分子设计了一个更亲核的核心基团,以增强ETL的给电子能力及其与钙钛矿表面的相互作用。这些改进促进了电子从ETL的转移,以中和和钝化由卤素产生的Pb2+空位。实验上,由更强的基于亲核核心基团的ETL B3PyPPM钝化的钙钛矿膜显示出更强的PL强度、更大的PLQY,并且对陷阱辅助的非辐射复合的抑制效果比B3PyMPM钝化的钙钛矿膜更有效。因此,这项工作确实证明了ETL在表面缺陷钝化方面的关键作用,并进一步为设计一种多功能ETL提供了重要指导,该ETL能够实现PeLED的高亮度和长工作寿命。(文:爱新觉罗星)图1。钙钛矿表面缺陷的ETL亲核核心基团钝化机理。图2:钙钛矿/ETL界面的PL和激发强度相关的TRPL光谱。图3。单载流子器件的SCLC和低频C?V特性。图4。基于B3PyPPM和基于B3PyMPM的PeLED的PeLED性能和C?V分析。本文来自微信公众号“材料科学与工程”。欢迎转载请联系,未经许可谢绝转载至其他网站。

2024年12月22日,少数人高喊“业主自治”蛊惑人心,实则为利益争抢物业蛋糕的观察

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二、失手绳

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发布于:花垣县
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