青涩体验 (1973) - 别名 — The Movie Database (TMDB)《青涩》全集免费播放-BD国语全集,超清观看,影视资源...
小龙虾“爱上”预制菜，是相关公司集体用脚投票的结果。我国小龙虾养殖面积逐年增长，年产量已超过200万吨。集中上市的小龙虾有叁个烦恼：一是淡旺季明显，5月份出水，8月份下潜，小龙虾门店普遍做半年歇半年，淡季往往只能靠罗氏虾、牛蛙等撑场面；二是生虾清洗、烹饪工序复杂，家庭餐桌这个大市场还没有打开；叁是行业天花板有点低，餐厅接待能力有限，单店做不出大品类。
2025年01月04日，而当它的临期食品供应链开始松动，这一模式也就瓦解。
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服务广东省地方债发行作为广东省地方政府债券主承销商协同国寿系统增加对广东地方债投资额2022年累计投资地方债165亿元；参与茂名、中山、阳江、江门、肇庆等15个地市项目为广东省地方政府债券发行保驾护航
某深圳地产公司相关人士也向21世纪经济报道记者表示，“刚刚收到银行消息，深圳银行的按揭放款需要在主体封顶后才能放明天开始执行。”为正式提名拜登，美国民主党有新动作！特朗普前顾问彼得·纳瓦罗出狱
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车(颁丑别)尾(奥别颈)造(窜补辞)型(齿颈苍驳)比(叠颈)较(闯颈补辞)简(闯颈补苍)洁(闯颈别)，狭(齿颈补)长(颁丑补苍驳)的(顿别)尾(奥别颈)灯(顿别苍驳)组(窜耻)和(贬别)前(蚕颈补苍)大(顿补)灯(顿别苍驳)风(贵别苍驳)格(骋别)形(齿颈苍驳)成(颁丑别苍驳)呼(贬耻)应(驰颈苍驳)，后(贬辞耻)备(叠别颈)箱(齿颈补苍驳)的(顿别)上(厂丑补苍驳)方(贵补苍驳)还(贬耻补苍)带(顿补颈)有(驰辞耻)“小(齿颈补辞)鸭(驰补)尾(奥别颈)”造(窜补辞)型(齿颈苍驳)的(顿别)扰(搁补辞)流(尝颈耻)板(叠补苍)，搭(顿补)配(笔别颈)后(贬辞耻)包(叠补辞)围(奥别颈)底(顿颈)部(叠耻)的(顿别)扩(碍耻辞)散(厂补苍)器(蚕颈)造(窜补辞)型(齿颈苍驳)，运(驰耻苍)动(顿辞苍驳)气(蚕颈)息(齿颈)更(骋别苍驳)为(奥别颈)浓(狈辞苍驳)郁(驰耻)。值(窜丑颈)得(顿别)一(驰颈)提(罢颈)的(顿别)是(厂丑颈)，英(驰颈苍驳)仕(厂丑颈)派(笔补颈)燃(搁补苍)油(驰辞耻)版(叠补苍)全(蚕耻补苍)系(齿颈)都(顿耻)标(叠颈补辞)配(笔别颈)18寸(颁耻苍)及(闯颈)以(驰颈)上(厂丑补苍驳)大(顿补)轮(尝耻苍)毂(窜耻辞)，连(尝颈补苍)选(齿耻补苍)装(窜丑耻补苍驳)的(顿别)钱(蚕颈补苍)都(顿耻)省(厂丑别苍驳)了(尝颈补辞)，比(叠颈)凯(碍补颈)美(惭别颈)瑞(搁耻颈)可(碍别)良(尝颈补苍驳)心(齿颈苍)多(顿耻辞)了(尝颈补辞)。
诲补辫辞产颈补辞锄丑耻苍，箩颈补测耻丑补辞丑耻补。辩耻补苍虫颈苍测颈诲补颈尘补颈迟别苍驳肠丑耻濒颈补辞辩颈补苍辫补颈锄耻辞测颈辫别颈锄丑颈诲颈补苍诲辞苍驳诲颈补辞箩颈别、迟辞苍驳蹿别苍驳、箩颈补谤别、补苍尘辞驳辞苍驳苍别苍驳，丑辞耻辫补颈辫别颈锄丑颈驳别苍驳诲补丑补辞丑耻补肠丑别蝉丑耻颈辫颈苍驳，辫别颈锄丑颈濒颈补辞办补辞产别颈箩颈补辞诲耻诲颈补苍诲辞苍驳诲颈补辞箩颈别、锄耻辞测颈箩颈补谤别、迟辞苍驳蹿别苍驳、补苍尘辞驳辞苍驳苍别苍驳，锄丑别苍锄丑别苍驳蝉丑颈虫颈补苍濒颈补辞辩颈补苍丑辞耻辫补颈锄耻辞测颈诲别“丑补辞丑耻补辫颈苍驳辩耻补苍”，诲补锄补辞肠丑耻濒颈补辞驳别诲颈补辞测耻蝉丑耻蝉丑颈产颈苍驳肠耻苍诲别蝉丑别虫颈补苍驳办辞苍驳箩颈补苍。飞补苍驳蝉丑补苍驳锄别苍驳箩颈苍驳测辞耻测颈驳别驳耻补苍测耻箩颈补锄丑辞苍驳测辞耻濒补辞谤别苍肠丑补苍驳蝉丑辞耻，虫耻测补辞谤别苍肠丑补苍驳辩颈锄丑补辞驳耻诲别飞别苍迟颈，办补苍濒颈补辞飞补苍驳测辞耻尘别苍诲别诲补补苍，产耻箩颈苍濒颈苍驳谤别苍锄耻辞虫耻。
碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)（SIC）器(Qi)件(Jian)在(Zai)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)中(Zhong)大(Da)、小(Xiao)三(San)电(Dian)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)的(De)应(Ying)用(Yong)；首(Shou)发(Fa)2023-10-16 08:16·爱(Ai)在(Zai)七(Qi)夕(Xi)时(Shi)一(Yi). 新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)的(De)核(He)心(Xin)是(Shi)三(San)电(Dian)系(Xi)统(Tong)：电(Dian)池(Chi)、电(Dian)机(Ji)、电(Dian)控(Kong)电(Dian)驱(Qu)动(Dong)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)还(Huan)可(Ke)以(Yi)分(Fen)为(Wei)“大(Da)三(San)电(Dian)”和(He)“小(Xiao)三(San)电(Dian)”。?大(Da)三(San)电(Dian)包(Bao)括(Kuo)：驱(Qu)动(Dong)电(Dian)机(Ji)、电(Dian)控(Kong)、变(Bian)速(Su)器(Qi)；小(Xiao)三(San)电(Dian)包(Bao)括(Kuo)：高(Gao)压(Ya)配(Pei)电(Dian)盒(He)PDU、车(Che)载(Zai)充(Chong)电(Dian)机(Ji)OBC和(He)DC/DC变(Bian)换(Huan)器(Qi)，扮(Ban)演(Yan)交(Jiao)直(Zhi)流(Liu)能(Neng)量(Liang)转(Zhuan)换(Huan)和(He)传(Chuan)输(Shu)重(Zhong)要(Yao)功(Gong)能(Neng)。大(Da)三(San)电(Dian)包(Bao)含(Han)三(San)大(Da)总(Zong)成(Cheng)部(Bu)件(Jian)：驱(Qu)动(Dong)电(Dian)机(Ji)总(Zong)成(Cheng)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)总(Zong)成(Cheng)传(Chuan)动(Dong)总(Zong)成(Cheng)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)机(Ji)的(De)主(Zhu)要(Yao)功(Gong)能(Neng)是(Shi)为(Wei)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)提(Ti)供(Gong)动(Dong)力(Li)，将(Jiang)动(Dong)力(Li)电(Dian)池(Chi)的(De)电(Dian)能(Neng)转(Zhuan)化(Hua)为(Wei)机(Ji)械(Xie)能(Neng)，主(Zhu)要(Yao)构(Gou)成(Cheng)包(Bao)括(Kuo)定(Ding)子(Zi)、转(Zhuan)子(Zi)、壳(Ke)体(Ti)、结(Jie)构(Gou)件(Jian)；电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)的(De)主(Zhu)要(Yao)功(Gong)能(Neng)是(Shi)将(Jiang)来(Lai)自(Zi)动(Dong)力(Li)电(Dian)池(Chi)的(De)直(Zhi)流(Liu)电(Dian)转(Zhuan)换(Huan)成(Cheng)交(Jiao)流(Liu)电(Dian)，根(Gen)据(Ju)整(Zheng)车(Che)控(Kong)制(Zhi)指(Zhi)令(Ling)来(Lai)控(Kong)制(Zhi)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)机(Ji)的(De)运(Yun)转(Zhuan)，主(Zhu)要(Yao)构(Gou)成(Cheng)包(Bao)括(Kuo)功(Gong)率(Lv)半(Ban)导(Dao)体(Ti)、控(Kong)制(Zhi)软(Ruan)件(Jian)和(He)传(Chuan)感(Gan)器(Qi)；减(Jian)速(Su)器(Qi)也(Ye)被(Bei)称(Cheng)为(Wei)传(Chuan)动(Dong)系(Xi)统(Tong)，主(Zhu)要(Yao)功(Gong)能(Neng)用(Yong)来(Lai)降(Jiang)低(Di)输(Shu)出(Chu)转(Zhuan)速(Su)，提(Ti)高(Gao)输(Shu)出(Chu)扭(Niu)矩(Ju)。小(Xiao)三(San)电(Dian)包(Bao)含(Han)三(San)个(Ge)总(Zong)成(Cheng)：DC/DC变(Bian)换(Huan)器(Qi)车(Che)载(Zai)充(Chong)电(Dian)机(Ji)OBC（On-Board Charger）高(Gao)压(Ya)配(Pei)电(Dian)盒(He)PDU（Power Distribution Unit）车(Che)载(Zai)充(Chong)电(Dian)机(Ji)的(De)主(Zhu)要(Yao)功(Gong)能(Neng)是(Shi)为(Wei)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)动(Dong)力(Li)电(Dian)池(Chi)进(Jin)行(Xing)充(Chong)电(Dian)，主(Zhu)要(Yao)构(Gou)成(Cheng)包(Bao)括(Kuo) PFC 电(Dian)路(Lu)、隔(Ge)离(Li) DC/DC 和(He)低(Di)压(Ya)辅(Fu)助(Zhu)电(Dian)源(Yuan)；车(Che)载(Zai) DC-DC 转(Zhuan)换(Huan)器(Qi)的(De)主(Zhu)要(Yao)功(Gong)能(Neng)是(Shi)将(Jiang)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)动(Dong)力(Li)电(Dian)池(Chi)组(Zu)的(De)高(Gao)压(Ya)直(Zhi)流(Liu)电(Dian)转(Zhuan)换(Huan)为(Wei)低(Di)压(Ya)直(Zhi)流(Liu)电(Dian)，主(Zhu)要(Yao)构(Gou)成(Cheng)包(Bao)括(Kuo)主(Zhu)控(Kong)板(Ban)、功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)和(He)电(Dian)感(Gan)；高(Gao)压(Ya)配(Pei)电(Dian)单(Dan)元(Yuan)的(De)主(Zhu)要(Yao)功(Gong)能(Neng)是(Shi)负(Fu)责(Ze)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)车(Che)高(Gao)压(Ya)系(Xi)统(Tong)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)中(Zhong)的(De)电(Dian)源(Yuan)分(Fen)配(Pei)与(Yu)管(Guan)理(Li)，主(Zhu)要(Yao)构(Gou)成(Cheng)包(Bao)括(Kuo)铜(Tong)排(Pai)、继(Ji)电(Dian)器(Qi)、熔(Rong)断(Duan)器(Qi)、预(Yu)充(Chong)电(Dian)阻(Zu)、电(Dian)流(Liu)采(Cai)集(Ji)器(Qi)等(Deng)。二(Er). 电(Dian)驱(Qu)动(Dong)系(Xi)统(Tong)集(Ji)成(Cheng)化(Hua)是(Shi)未(Wei)来(Lai)确(Que)定(Ding)性(Xing)的(De)趋(Qu)势(Shi)随(Sui)着(Zhuo)电(Dian)驱(Qu)动(Dong)产(Chan)品(Pin)集(Ji)成(Cheng)化(Hua)的(De)进(Jin)一(Yi)步(Bu)提(Ti)升(Sheng)，除(Chu)电(Dian)机(Ji)、电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)、减(Jian)速(Su)器(Qi)之(Zhi)外(Wai)，高(Gao)压(Ya)分(Fen)线(Xian)盒(He)、DC/DC、充(Chong)电(Dian)机(Ji)OBC等(Deng)零(Ling)部(Bu)件(Jian)也(Ye)可(Ke)能(Neng)集(Ji)成(Cheng)进(Jin)去(Qu)，形(Xing)成(Cheng)功(Gong)能(Neng)更(Geng)全(Quan)的(De)多(Duo)合(He)一(Yi)动(Dong)力(Li)总(Zong)成(Cheng)系(Xi)统(Tong)。华(Hua)为(Wei)-BYD等(Deng)厂(Chang)商(Shang)都(Du)已(Yi)经(Jing)发(Fa)布(Bu)了(Liao)N合(He)一(Yi)的(De)大(Da)集(Ji)成(Cheng)系(Xi)统(Tong)。三(San). SiC的(De)应(Ying)用(Yong)极(Ji)大(Da)的(De)提(Ti)升(Sheng)电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)性(Xing)能(Neng)电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)功(Gong)率(Lv)模(Mo)块(Kuai)主(Zhu)要(Yao)采(Cai)用(Yong) IGBT、Si-MOSFET、SiC-MOSFET 三(San)种(Zhong)功(Gong)率(Lv)芯(Xin)片(Pian)。1、Si IGBT：中(Zhong)大(Da)功(Gong)率(Lv)、低(Di)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lv)主(Zhu)要(Yao)应(Ying)用(Yong)于(Yu)EV逆(Ni)变(Bian)器(Qi)、PTC、E-comp；2、Si MOS：中(Zhong)低(Di)电(Dian)压(Ya)主(Zhu)要(Yao)应(Ying)用(Yong)于(Yu)：DC/DC整(Zheng)流(Liu)侧(Ce)；3、SiC MOS：高(Gao)电(Dian)压(Ya) (>600V)、高(Gao)频(Pin)率(Lv)(20—200KHz)主(Zhu)要(Yao)应(Ying)用(Yong)于(Yu)：EV逆(Ni)变(Bian)器(Qi)、HV DC/DC、OBC、E-comp等(Deng)。在(Zai)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)当(Dang)中(Zhong)，电(Dian)力(Li)转(Zhuan)换(Huan)是(Shi)通(Tong)过(Guo)控(Kong)制(Zhi)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)的(De)开(Kai)关(Guan)来(Lai)实(Shi)现(Xian)的(De)。IGBT 兼(Jian)有(You) MOSFET 的(De)高(Gao)输(Shu)入(Ru)阻(Zu)抗(Kang)和(He) GTR 的(De)低(Di)导(Dao)通(Tong)压(Ya)降(Jiang)两(Liang)方(Fang)面(Mian)的(De)优(You)点(Dian)，驱(Qu)动(Dong)功(Gong)率(Lv)小(Xiao)而(Er)饱(Bao)和(He)压(Ya)降(Jiang)低(Di)，非(Fei)常(Chang)适(Shi)合(He)应(Ying)用(Yong)于(Yu)直(Zhi)流(Liu)电(Dian)压(Ya)为(Wei) 600V 及(Ji)以(Yi)上(Shang)的(De)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)领(Ling)域(Yu)，凭(Ping)借(Jie)性(Xing)能(Neng)和(He)成(Cheng)本(Ben)优(You)势(Shi)成(Cheng)为(Wei)目(Mu)前(Qian)最(Zui)主(Zhu)流(Liu)的(De)装(Zhuang)机(Ji)功(Gong)率(Lv)芯(Xin)片(Pian)。但(Dan)IGBT受(Shou)材(Cai)料(Liao)本(Ben)身(Shen)的(De)局(Ju)限(Xian)，较(Jiao)难(Nan)工(Gong)作(Zuo)在(Zai)200℃以(Yi)上(Shang)。高(Gao)功(Gong)率(Lv)密(Mi)度(Du)的(De)电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)需(Xu)要(Yao)高(Gao)效(Xiao)的(De)电(Dian)力(Li)转(Zhuan)换(Huan)效(Xiao)率(Lv)和(He)更(Geng)高(Gao)的(De)工(Gong)作(Zuo)温(Wen)度(Du)，这(Zhe)对(Dui)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)也(Ye)提(Ti)出(Chu)了(Liao)更(Geng)高(Gao)的(De)要(Yao)求(Qiu)，如(Ru)：更(Geng)低(Di)的(De)导(Dao)通(Tong)损(Sun)耗(Hao)、耐(Nai)高(Gao)温(Wen)、高(Gao)导(Dao)热(Re)能(Neng)力(Li)等(Deng)。基(Ji)于(Yu)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)（SiC）单(Dan)晶(Jing)材(Cai)料(Liao)的(De)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)，具(Ju)有(You)高(Gao)频(Pin)率(Lv)、高(Gao)效(Xiao)率(Lv)、小(Xiao)体(Ti)积(Ji)等(Deng)优(You)点(Dian)（比(Bi)IGBT功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)小(Xiao)70%-80%），在(Zai)特(Te)斯(Si)拉(La) Model 3 车(Che)型(Xing)中(Zhong)得(De)到(Dao)了(Liao)最(Zui)早(Zao)了(Liao)应(Ying)用(Yong)。碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)（SiC）半(Ban)导(Dao)体(Ti)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)能(Neng)使(Shi)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)实(Shi)现(Xian)更(Geng)长(Chang)的(De)续(Xu)航(Hang)里(Li)程(Cheng)、更(Geng)短(Duan)的(De)充(Chong)电(Dian)时(Shi)间(Jian)、更(Geng)高(Gao)的(De)电(Dian)池(Chi)电(Dian)压(Ya)。与(Yu)二(Er)代(Dai)硅(Gui)基(Ji)IGBT相(Xiang)比(Bi)，半(Ban)导(Dao)体(Ti)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)（SiC）750V时(Shi)能(Neng)效(Xiao)增(Zeng)加(Jia)8-12%，总(Zong)损(Sun)耗(Hao)减(Jian)少(Shao)约(Yue)1/7，模(Mo)块(Kuai)体(Ti)积(Ji)仅(Jin)为(Wei)IGBT的(De)1/5左(Zuo)右(You)，开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lv)为(Wei)IGBT的(De)5-10倍(Bei)。SiC-MOSFET 具(Ju)有(You)高(Gao)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lv)、高(Gao)效(Xiao)率(Lv)、高(Gao)功(Gong)率(Lv)密(Mi)度(Du)等(Deng)优(You)点(Dian)，但(Dan)目(Mu)前(Qian)成(Cheng)本(Ben)较(Jiao)高(Gao)，主(Zhu)要(Yao)用(Yong)于(Yu)中(Zhong)高(Gao)端(Duan) B 级(Ji)、C 级(Ji)车(Che)，包(Bao)括(Kuo)特(Te)斯(Si)拉(La) Model Y、Model 3、蔚(Wei)来(Lai) ET7、比(Bi)亚(Ya)迪(Di)唐(Tang) EV、比(Bi)亚(Ya)迪(Di)汉(Han)等(Deng)。四(Si)、碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)在(Zai)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)领(Ling)域(Yu)的(De)应(Ying)用(Yong)目(Mu)前(Qian)，车(Che)规(Gui)级(Ji)SiC功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)主(Zhu)要(Yao)应(Ying)用(Yong)于(Yu)主(Zhu)驱(Qu)逆(Ni)变(Bian)器(Qi)、OBC、充(Chong)电(Dian)桩(Zhuang)等(Deng)场(Chang)景(Jing)。在(Zai)主(Zhu)驱(Qu)逆(Ni)变(Bian)器(Qi)、OBC、DC-DC以(Yi)及(Ji)直(Zhi)流(Liu)充(Chong)电(Dian)桩(Zhuang)模(Mo)块(Kuai)中(Zhong)，SiC MOSFET有(You)望(Wang)对(Dui)Si IGBT加(Jia)速(Su)替(Ti)代(Dai)。1、电(Dian)机(Ji)驱(Qu)动(Dong)系(Xi)统(Tong)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)应(Ying)用(Yong)为(Wei)主(Zhu)驱(Qu)逆(Ni)变(Bian)器(Qi)带(Dai)来(Lai)了(Liao)更(Geng)高(Gao)的(De)逆(Ni)变(Bian)器(Qi)效(Xiao)率(Lv)、更(Geng)小(Xiao)的(De)系(Xi)统(Tong)尺(Chi)寸(Cun)、更(Geng)低(Di)的(De)系(Xi)统(Tong)成(Cheng)本(Ben)和(He)更(Geng)长(Chang)的(De)行(Xing)驶(Shi)里(Li)程(Cheng)。根(Gen)据(Ju)Infineon与(Yu)Daimler在(Zai)2018年(Nian)的(De)测(Ce)试(Shi)数(Shu)据(Ju)，在(Zai)相(Xiang)同(Tong)的(De)行(Xing)驶(Shi)条(Tiao)件(Jian)和(He)行(Xing)驶(Shi)里(Li)程(Cheng)情(Qing)况(Kuang)下(Xia)：在(Zai)配(Pei)备(Bei)了(Liao)1200V SiC MOSFET的(De)400V系(Xi)统(Tong)中(Zhong)，逆(Ni)变(Bian)器(Qi)的(De)能(Neng)耗(Hao)降(Jiang)低(Di)了(Liao)63%，从(Cong)而(Er)在(Zai)WLTP工(Gong)况(Kuang)条(Tiao)件(Jian)下(Xia)节(Jie)能(Neng)6.9%；在(Zai)配(Pei)备(Bei)了(Liao)1200V SiC MOSFET的(De)800V系(Xi)统(Tong)中(Zhong)，逆(Ni)变(Bian)器(Qi)能(Neng)耗(Hao)降(Jiang)低(Di)69%，整(Zheng)车(Che)能(Neng)耗(Hao)降(Jiang)低(Di)7.6%。碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)对(Dui)车(Che)辆(Liang)能(Neng)耗(Hao)的(De)降(Jiang)低(Di)仍(Reng)被(Bei)低(Di)估(Gu)，因(Yin)为(Wei)没(Mei)有(You)考(Kao)虑(Lv)电(Dian)池(Chi)系(Xi)统(Tong)重(Zhong)量(Liang)减(Jian)轻(Qing)的(De)影(Ying)响(Xiang)。在(Zai)系(Xi)统(Tong)成(Cheng)本(Ben)方(Fang)面(Mian)，尽(Jin)管(Guan)SiC MOSFET逆(Ni)变(Bian)器(Qi)是(Shi)等(Deng)效(Xiao)Si IGBT价(Jia)格(Ge)的(De)2-3倍(Bei)，然(Ran)而(Er)，由(You)于(Yu)使(Shi)用(Yong)SiC后(Hou)整(Zheng)车(Che)功(Gong)耗(Hao)降(Jiang)低(Di)，车(Che)辆(Liang)系(Xi)统(Tong)效(Xiao)率(Lv)提(Ti)高(Gao)，因(Yin)此(Ci)需(Xu)要(Yao)更(Geng)少(Shao)的(De)电(Dian)池(Chi)容(Rong)量(Liang)。电(Dian)池(Chi)节(Jie)省(Sheng)的(De)成(Cheng)本(Ben)超(Chao)过(Guo)了(Liao)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)逆(Ni)变(Bian)器(Qi)增(Zeng)加(Jia)的(De)成(Cheng)本(Ben)，采(Cai)用(Yong)800V高(Gao)压(Ya)SiC平(Ping)台(Tai)的(De)系(Xi)统(Tong)成(Cheng)本(Ben)比(Bi)400V Si IGBT平(Ping)台(Tai)节(Jie)省(Sheng)高(Gao)达(Da)6%。2、充(Chong)电(Dian)系(Xi)统(Tong)车(Che)载(Zai)充(Chong)电(Dian)机(Ji)（OBC）是(Shi)将(Jiang)交(Jiao)流(Liu)充(Chong)电(Dian)桩(Zhuang)输(Shu)出(Chu)的(De)交(Jiao)流(Liu)电(Dian)转(Zhuan)换(Huan)为(Wei)直(Zhi)流(Liu)电(Dian)输(Shu)送(Song)到(Dao)动(Dong)力(Li)电(Dian)池(Chi)包(Bao)中(Zhong)，典(Dian)型(Xing)电(Dian)路(Lu)结(Jie)构(Gou)由(You)前(Qian)级(Ji)PFC电(Dian)路(Lu)和(He)后(Hou)级(Ji)DC/DC输(Shu)出(Chu)电(Dian)路(Lu)两(Liang)部(Bu)分(Fen)组(Zu)成(Cheng)，充(Chong)电(Dian)功(Gong)率(Lv)范(Fan)围(Wei)从(Cong)3.3kW至(Zhi)22KW，可(Ke)支(Zhi)持(Chi)双(Shuang)向(Xiang)流(Liu)动(Dong)。DC-DC转(Zhuan)换(Huan)器(Qi)可(Ke)以(Yi)将(Jiang)电(Dian)池(Chi)中(Zhong)的(De)800V（400V）高(Gao)压(Ya)转(Zhuan)换(Huan)为(Wei)12V低(Di)压(Ya)，输(Shu)送(Song)至(Zhi)低(Di)压(Ya)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)，功(Gong)率(Lv)约(Yue)为(Wei)3KW。应(Ying)用(Yong)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)获(Huo)得(De)更(Geng)快(Kuai)的(De)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lv)FSW、更(Geng)高(Gao)的(De)效(Xiao)率(Lv)、双(Shuang)向(Xiang)操(Cao)作(Zuo)、更(Geng)小(Xiao)的(De)无(Wu)源(Yuan)元(Yuan)件(Jian)、更(Geng)小(Xiao)的(De)系(Xi)统(Tong)尺(Chi)寸(Cun)和(He)更(Geng)低(Di)的(De)系(Xi)统(Tong)成(Cheng)本(Ben)。OBC二(Er)极(Ji)管(Guan)和(He)开(Kai)关(Guan)管(Guan)（IGBT、MOSFET等(Deng)）是(Shi)OBC中(Zhong)主(Zhu)要(Yao)应(Ying)用(Yong)的(De)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)。采(Cai)用(Yong)SiC替(Ti)代(Dai)可(Ke)实(Shi)现(Xian)更(Geng)低(Di)损(Sun)耗(Hao)、更(Geng)小(Xiao)体(Ti)积(Ji)及(Ji)更(Geng)低(Di)的(De)系(Xi)统(Tong)成(Cheng)本(Ben)。资(Zi)料(Liao)来(Lai)源(Yuan)：浙(Zhe)江(Jiang)大(Da)学(Xue)-电(Dian)气(Qi)工(Gong)程(Cheng)学(Xue)院(Yuan)（王(Wang)正(Zheng)仕(Shi)博(Bo)士(Shi)）据(Ju)研(Yan)究(Jiu)，采(Cai)用(Yong)全(Quan)SiC MOSFET方(Fang)案(An)的(De)22kW双(Shuang)向(Xiang)OBC，可(Ke)较(Jiao)Si方(Fang)案(An)实(Shi)现(Xian)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)和(He)栅(Zha)极(Ji)驱(Qu)动(Dong)数(Shu)量(Liang)都(Du)减(Jian)少(Shao)30%以(Yi)上(Shang)，且(Qie)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lv)提(Ti)高(Gao)一(Yi)倍(Bei)以(Yi)上(Shang)，实(Shi)现(Xian)系(Xi)统(Tong)轻(Qing)量(Liang)化(Hua)和(He)整(Zheng)体(Ti)运(Yun)行(Xing)效(Xiao)率(Lv)提(Ti)升(Sheng)。SiC系(Xi)统(Tong)在(Zai)3kW/L的(De)功(Gong)率(Lv)密(Mi)度(Du)下(Xia)可(Ke)实(Shi)现(Xian)97%的(De)峰(Feng)值(Zhi)系(Xi)统(Tong)效(Xiao)率(Lv)，而(Er)Si OBC仅(Jin)可(Ke)在(Zai)2kW/L的(De)功(Gong)率(Lv)密(Mi)度(Du)下(Xia)实(Shi)现(Xian)95%的(De)效(Xiao)率(Lv)。同(Tong)时(Shi)，进(Jin)一(Yi)步(Bu)拆(Chai)分(Fen)成(Cheng)本(Ben)，由(You)于(Yu)SiC器(Qi)件(Jian)的(De)性(Xing)能(Neng)可(Ke)减(Jian)少(Shao)DC/DC模(Mo)块(Kuai)中(Zhong)所(Suo)需(Xu)大(Da)量(Liang)的(De)栅(Zha)极(Ji)驱(Qu)动(Dong)和(He)磁(Ci)性(Xing)元(Yuan)件(Jian)。因(Yin)此(Ci)，尽(Jin)管(Guan)相(Xiang)比(Bi)单(Dan)个(Ge)Si基(Ji)二(Er)极(Ji)管(Guan)和(He)功(Gong)率(Lv)晶(Jing)体(Ti)管(Guan)，SiC基(Ji)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)的(De)成(Cheng)本(Ben)更(Geng)高(Gao)，但(Dan)整(Zheng)体(Ti)全(Quan)SiC方(Fang)案(An)的(De)OBC成(Cheng)本(Ben)可(Ke)节(Jie)约(Yue)15%左(Zuo)右(You)。3、电(Dian)池(Chi)管(Guan)理(Li)系(Xi)统(Tong)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)可(Ke)以(Yi)用(Yong)于(Yu)电(Dian)池(Chi)管(Guan)理(Li)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)，可(Ke)以(Yi)提(Ti)高(Gao)电(Dian)池(Chi)的(De)充(Chong)电(Dian)和(He)放(Fang)电(Dian)效(Xiao)率(Lv)，从(Cong)而(Er)延(Yan)长(Chang)电(Dian)池(Chi)寿(Shou)命(Ming)。4、辅(Fu)助(Zhu)电(Dian)源(Yuan)系(Xi)统(Tong)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)可(Ke)以(Yi)用(Yong)于(Yu)辅(Fu)助(Zhu)电(Dian)源(Yuan)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)，可(Ke)以(Yi)提(Ti)高(Gao)辅(Fu)助(Zhu)电(Dian)源(Yuan)的(De)效(Xiao)率(Lv)和(He)性(Xing)能(Neng)，从(Cong)而(Er)提(Ti)高(Gao)电(Dian)动(Dong)汽(Qi)车(Che)的(De)性(Xing)能(Neng)和(He)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)。随(Sui)着(Zhuo)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)加(Jia)速(Su)发(Fa)展(Zhan)，车(Che)企(Qi)对(Dui)轻(Qing)量(Liang)化(Hua)、降(Jiang)成(Cheng)本(Ben)和(He)优(You)化(Hua)空(Kong)间(Jian)布(Bu)局(Ju)等(Deng)性(Xing)能(Neng)指(Zhi)标(Biao)要(Yao)求(Qiu)越(Yue)来(Lai)越(Yue)高(Gao)，电(Dian)驱(Qu)动(Dong)系(Xi)统(Tong)需(Xu)要(Yao)在(Zai)功(Gong)率(Lv)密(Mi)度(Du)、重(Zhong)量(Liang)、体(Ti)积(Ji)、输(Shu)出(Chu)效(Xiao)率(Lv)以(Yi)及(Ji)安(An)全(Quan)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)等(Deng)方(Fang)面(Mian)严(Yan)格(Ge)要(Yao)求(Qiu)。为(Wei)配(Pei)合(He)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)的(De)发(Fa)展(Zhan)趋(Qu)势(Shi)，大(Da)@小(Xiao)三(San)电(Dian)系(Xi)统(Tong)正(Zheng)朝(Chao)着(Zhuo)高(Gao)压(Ya)化(Hua)、集(Ji)成(Cheng)化(Hua)、多(Duo)功(Gong)能(Neng)化(Hua)和(He)大(Da)功(Gong)率(Lv)方(Fang)向(Xiang)发(Fa)展(Zhan)，以(Yi)开(Kai)拓(Tuo)新(Xin)功(Gong)能(Neng)和(He)满(Man)足(Zu)用(Yong)户(Hu)更(Geng)多(Duo)需(Xu)求(Qiu)，而(Er)这(Zhe)其(Qi)中(Zhong)的(De)创(Chuang)新(Xin)离(Li)不(Bu)开(Kai)前(Qian)沿(Yan)材(Cai)料(Liao)的(De)应(Ying)用(Yong)以(Yi)及(Ji)电(Dian)力(Li)电(Dian)子(Zi)、电(Dian)源(Yuan)系(Xi)统(Tong)的(De)正(Zheng)向(Xiang)开(Kai)发(Fa)能(Neng)力(Li)。总(Zong)之(Zhi)，碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)在(Zai)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)领(Ling)域(Yu)中(Zhong)的(De)应(Ying)用(Yong)前(Qian)景(Jing)广(Guang)阔(Kuo)。随(Sui)着(Zhuo)碳(Tan)化(Hua)硅(Gui)功(Gong)率(Lv)器(Qi)件(Jian)技(Ji)术(Shu)的(De)不(Bu)断(Duan)发(Fa)展(Zhan)和(He)应(Ying)用(Yong)，它(Ta)将(Jiang)成(Cheng)为(Wei)新(Xin)能(Neng)源(Yuan)汽(Qi)车(Che)领(Ling)域(Yu)中(Zhong)的(De)重(Zhong)要(Yao)支(Zhi)撑(Cheng)技(Ji)术(Shu)，为(Wei)电(Dian)动(Dong)汽(Qi)车(Che)的(De)发(Fa)展(Zhan)和(He)普(Pu)及(Ji)提(Ti)供(Gong)了(Liao)强(Qiang)有(You)力(Li)的(De)支(Zhi)持(Chi)。
雷霆在这个休赛期实际上并没有做太多的运作，他们只是做了一些小修小补，不过两笔简单的运作却让他们阵容最大的问题得到了解决，不得不佩服普总的运作能力，球队先是交易吉迪换来了卡鲁索，之后又送出了3年8700万的合同签下了哈腾，这也让雷霆的阵容做到了很好的补充。美国财政部长耶伦周一重申，除非国会提高或暂停联邦债务上限，否则财政部最快可能在6月1日耗尽现金。青涩体验 (1973) - 别名 — The Movie Database (TMDB)《青涩》全集免费播放-BD国语全集,超清观看,影视资源...
迪士尼与佛州州长德桑蒂斯的公开矛盾已持续一年多两个多月前德桑蒂斯夺走了迪士尼在佛州享有半个多世纪的自治权作为回应迪士尼撤走了在该州的投资和工作岗位